【導讀】領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi）很高興地宣布，其領先市場的NCP1680臨界導通模式(CrM)無橋圖騰柱功率因數(shù)校正(PFC)控制器獲《Electronic Design》授予PowerBest獎。
領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，很高興地宣布，其領先市場的NCP1680臨界導通模式(CrM)無橋圖騰柱功率因數(shù)校正(PFC)控制器獲《Electronic Design》授予PowerBest獎。這些獎項授予極少數(shù)幫助工程師創(chuàng)造勝選設計的電子電力產品，和表彰那些幫助實現(xiàn)這些設計的人，盡管2021年是極具挑戰(zhàn)性的(又一)年。
安森美的NCP1680獲該獎項，是因其采用一個混合信號控制器獨一無二地實現(xiàn)了無橋圖騰柱PFC，為設計人員提供了一個很好的工具，可提高高性能電源的能效，降低成本和設計復雜性。該控制器非常適用于超高密度離線電源，在通用電源（90-265 Vac）下工作的功率水平高達350 W。
無橋圖騰柱PFC拓撲省去了傳統(tǒng)PFC電路輸入端的二極管橋，在240 W電源的傳統(tǒng)PFC電路中中使用該二極管橋會產生約4 W損耗(約占總損耗的20%)，因而顯著提高功率級能效。NCP1680為以脈寬調制(PWM)開關頻率驅動的快速開關支路和以交流電頻率工作的支路提供控制信號。該控制器幾乎可用于任何開關器件，從傳統(tǒng)的超級結硅MOSFET到基于碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)晶體管的寬禁帶器件。
NCP1680采用新穎的限流結構和線路相位檢測機制，簡化了無橋圖騰柱PFC的設計。其控制回路支持帶有谷底開關的恒定導通時間的CrM架構。為滿足當今全球輕載運行能效標準，它在頻率反走運行期間以谷底同步導通的非連續(xù)導通模式(DCM)工作。
采用NCP1680，在外部只需要一些簡單的元器件就可實現(xiàn)全功能的圖騰柱PFC，從而節(jié)省了空間和元器件成本。進一步減少元器件數(shù)量，無需采用霍爾效應傳感器即可實現(xiàn)逐周期電流限制。
NCP1680采用SOIC-16封裝，也可作為評估平臺的一部分，支持快速開發(fā)和調試先進的圖騰柱PFC設計。
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