圖1：節(jié)點(diǎn)電壓分析通常簡(jiǎn)化了電子電路的分析。上圖左側(cè)是節(jié)點(diǎn)電壓分析示例，右側(cè)是同一電路的網(wǎng)孔分析示例。

 

作為一名學(xué)生和工程師，經(jīng)過(guò)多年的深入研究，您可能會(huì)忘記電子電路理論中的一些基本概念，此時(shí)正是致命的錯(cuò)誤觀念滲入我們思想的時(shí)候。

 

常見(jiàn)誤解

接地節(jié)點(diǎn)經(jīng)常被誤以為是所有電荷的物理入地點(diǎn)。這當(dāng)然不對(duì)。接地節(jié)點(diǎn)只是我們個(gè)人選擇的節(jié)點(diǎn)。除了通常是許多子電路的公共節(jié)點(diǎn)以外，它沒(méi)什么特殊之處。而作為一個(gè)公共節(jié)點(diǎn)不會(huì)增加任何特殊的物理屬性。接地節(jié)點(diǎn)上唯一存儲(chǔ)的電荷是一端接地的電容器的負(fù)極板電荷。所有其它電荷都在電路中循環(huán)，并且永不停歇（圖2）。請(qǐng)記住，所有電流都在一個(gè)回路中流動(dòng)，電荷會(huì)返回其源極。

 

圖2：電流電荷在回路中循環(huán)，接地節(jié)點(diǎn)上唯一存儲(chǔ)的電荷（–Q）是接地電容器上的電荷。

 

接地節(jié)點(diǎn)是避免噪聲的安全港。這也不對(duì)，大多數(shù)不同的噪聲電流都會(huì)通過(guò)接地節(jié)點(diǎn)（圖3）。但是，僅對(duì)設(shè)計(jì)良好的接地軌而言，導(dǎo)電軌的阻抗可忽略不計(jì)，此時(shí)跨軌的噪聲電位差幾乎為零。

 

圖3：不同的信號(hào)電流和不同的噪聲電流通過(guò)接地節(jié)點(diǎn)。接地軌的低阻抗是確保導(dǎo)電軌中任何兩個(gè)物理點(diǎn)之間的電位差可以忽略的唯一保證，至少在直流電路分析中如此。

 

人們普遍認(rèn)為，將兩個(gè)相互影響的域的接地墊隔離，可以保護(hù)安靜域免受噪聲域的影響。這可能是RF工程師在不知情的情況下所犯的最嚴(yán)重錯(cuò)誤之一。在多種情況下，接地墊的分離可能會(huì)導(dǎo)致從噪聲域輸出到安靜域輸入的嚴(yán)重噪聲耦合。您可能會(huì)發(fā)現(xiàn)這有悖常理，但是當(dāng)你使用綁定線繪制完整的電路直至PCB層時(shí)，這一點(diǎn)會(huì)變得清晰，如圖4所示。當(dāng)所有MOS體連接到專用接地墊時(shí)，也會(huì)產(chǎn)生類似的影響。

 

圖4：當(dāng)上圖左側(cè)接地墊分離時(shí)，從一個(gè)域到另一個(gè)域的傳輸信號(hào)會(huì)變得噪聲很大。其分析步驟以紫色圓圈標(biāo)記。另一方面，如右側(cè)圖所示，合并域后，信號(hào)得以安全地傳輸。但是，如果PSRR較差，安靜域可能會(huì)受影響。

 

在考慮功耗的數(shù)字電路設(shè)計(jì)中，浮動(dòng)輸出不僅與斷開(kāi)接地路徑有關(guān)，而且還與斷開(kāi)電源路徑有關(guān)（圖5）。物理設(shè)計(jì)偏好通常傾向于切換接地路徑。這是因?yàn)樵谙嗤膶?dǎo)通電阻下，將使用面積比PMOS器件小的NMOS器件。

 

圖5：當(dāng)電源或地線關(guān)閉時(shí)，不可避免地可能導(dǎo)致輸出電壓不確定。而此不確定的輸出電壓取決于存儲(chǔ)在負(fù)載電容器上的最后一個(gè)工作輸出狀態(tài)、電源與地之間的OFF電阻比，以及不同連接點(diǎn)的漏電流。

 

接地軌和電源軌似乎與時(shí)序收斂無(wú)關(guān)。時(shí)序收斂與不同的信元延遲和不同的信號(hào)邊沿有關(guān)。 當(dāng)接地軌具有相對(duì)較高的阻抗時(shí)，在電源軌和接地軌之間會(huì)產(chǎn)生相當(dāng)大的IR壓降，這會(huì)降低有效電源電壓，從而增加CMOS單元的延遲。而且，即使電源軌上的平均IR壓降微不足道，開(kāi)關(guān)噪聲電流也會(huì)在接地軌上產(chǎn)生明顯的瞬態(tài)噪聲電壓。因此，如圖6所示，到達(dá)距信號(hào)源較遠(yuǎn)的門(mén)的信號(hào)沿可以及時(shí)有效地“移動(dòng)”[1]。時(shí)移取決于瞬態(tài)噪聲的大小和極性。對(duì)于高上升/下降時(shí)間信號(hào)，這種影響變得更加明顯。

 

圖6：根據(jù)紫色圓圈所示的分析步驟，瞬態(tài)電源/接地電流曲線在接地端會(huì)產(chǎn)生相似的電壓曲線，這會(huì)影響信號(hào)沿的有效到達(dá)時(shí)間。大幅增加本地去耦電容器以吸收交流電流曲線，并降低電源/接地軌的阻抗，可以緩解該問(wèn)題。

 

接地墊是否需要分離？

這是一個(gè)棘手的問(wèn)題，需要詳細(xì)說(shuō)明。前述內(nèi)容可能會(huì)給人一種印象，即接地墊分離是一種不良的設(shè)計(jì)實(shí)踐，盡管在許多芯片中這可能是一種常見(jiàn)的做法。通常，設(shè)計(jì)具有低電阻和低電感的單個(gè)統(tǒng)一接地，要遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于設(shè)計(jì)多個(gè)接地軌。多個(gè)接地軌會(huì)造成一些麻煩，比如多個(gè)作用域之間復(fù)雜的回流電流路徑，以及載有高頻電流的大面積環(huán)路造成的磁耦合。

 

但是，在某些情況下，接地墊的分離不可避免。例如，假設(shè)有一個(gè)晶體振蕩器和一個(gè)帶噪聲的數(shù)字模塊，它們共享一個(gè)接地墊，如圖7所示。數(shù)字模塊從電源汲取噪聲電流，并通過(guò)接地軌和綁定線返回。因此，接地線上會(huì)出現(xiàn)明顯的電壓故障。由于該綁定線與晶體振蕩器的地線共用，噪聲電壓故障會(huì)加載到晶振內(nèi)部節(jié)點(diǎn)的晶體純正弦電壓上。

 

圖7：根據(jù)紫色圓圈中所示的分析步驟，噪聲塊會(huì)間接在接地線兩端產(chǎn)生噪聲電壓。由于晶體實(shí)際上是具有很好截止特性的帶通濾波器，因此在振蕩過(guò)程中，其每個(gè)端子上都存在純正弦電壓。但是，晶體振蕩器的內(nèi)部節(jié)點(diǎn)會(huì)感測(cè)到接地線兩端的純電壓和噪聲電壓的疊加。

 

在需要分離接地墊的情況下，請(qǐng)執(zhí)行以下操作：

 

盡可能在噪聲模塊周?chē)胖枚鄠€(gè)去耦電容器（圖8）。這會(huì)減少噪聲供電電流在芯片外部的傳輸，從而將模塊導(dǎo)電軌及其輸出上產(chǎn)生的噪聲電壓最小化。

最小化噪聲模塊與其它模塊塊之間的電氣交互作用，或僅減小傳遞的電流。為此，在噪聲域中使用具有相對(duì)較高輸出阻抗的驅(qū)動(dòng)器，在安靜域中使用具有高輸入阻抗緩沖器的驅(qū)動(dòng)器。

 

圖8：噪聲模塊端的去耦電容會(huì)吸收流經(jīng)電源和地的大部分AC電流成分。最小化從噪聲域到敏感域的傳輸電流，可確保最小化噪聲的傳輸。

 

接地節(jié)點(diǎn)只是一個(gè)為電路分析而定義的節(jié)點(diǎn)。所有電流仍在回路中傳輸，并不會(huì)在接地節(jié)點(diǎn)處截止。

 

要預(yù)測(cè)和解決接地相關(guān)的問(wèn)題，只需繪出帶所有物理連接的完整電路，而無(wú)需定義接地節(jié)點(diǎn)，并將不同的電流回路和公共路徑可視化。

 

在決定統(tǒng)一或分離不同域的接地墊之前，仔細(xì)了解預(yù)期的增益和潛在影響。

 

圖9所示是一個(gè)習(xí)題。其左側(cè)顯示了一個(gè)具有有限漏極阻抗的簡(jiǎn)單NMOS電流源。那么，看到的電源電壓源低頻交流阻抗是多少？

 

圖9：接地節(jié)點(diǎn)定義是否會(huì)影響輸入阻抗值？

 

答案非常簡(jiǎn)單。物理上保持電路不變，但選擇NMOS漏極作為接地節(jié)點(diǎn)，而不是NMOS源極，如圖9右側(cè)所示，那么阻抗會(huì)保持不變嗎？千萬(wàn)不要讓接地迷惑了您。