1 引言

 

瞬變電壓抑制器（ TVS：Transient Voltage Suppressor）是為了解決電子設(shè)備電壓瞬變和浪涌防護(hù)問題而設(shè)計(jì)出的一種高性能的電子電路保護(hù)器件，瞬變電壓抑制二極管，主要用于對電路進(jìn)行瞬態(tài)保護(hù)。當(dāng)TVS 管兩端經(jīng)受瞬間的高能量沖擊時(shí)，它能以極高的速度把兩端間的阻抗變?yōu)榈妥杩?，吸收一個(gè)大電流，從而把它兩端間的電壓鉗制在一個(gè)預(yù)訂的數(shù)值上，保護(hù)后面的電路原件不因瞬態(tài)高電壓沖擊而損壞。國內(nèi)外在電子產(chǎn)品和國內(nèi)高可靠設(shè)備中的應(yīng)用都十分普遍。隨著TVS 使用范圍和使用數(shù)量的增加，TVS 自身的可靠性備受關(guān)注，因?yàn)?TVS 可靠性不僅是 TVS 本身的問題，還關(guān)系到被保護(hù)電子電路的使用可靠性。研究 TVS 的可靠性須對 TVS 的失效模式和失效機(jī)理有深入的了解。文獻(xiàn)表明 TVS 的失效模式有短路、開路和電特性退化。其中，短路失效最為常見，且對電路的影響最為嚴(yán)重。目前，國內(nèi)對國產(chǎn)TVS 短路失效機(jī)理的研究缺乏深度，不夠系統(tǒng)，因此，對國產(chǎn) TVS 短路失效機(jī)理進(jìn)行深入、系統(tǒng)的研究十分必要。

 

2  TVS 短路失效樣品和失效分析程序

      

在國內(nèi)主要TVS 生產(chǎn)廠商的支持下，搜集了有關(guān)國產(chǎn) TVS 篩選和使用中短路失效的樣品和篩選應(yīng)力條件或使用條件等失效數(shù)據(jù)，對這些樣品進(jìn)行電參數(shù)測試、開帽、去保護(hù)膠、管芯與電極分離、去焊料和顯微觀察等步驟，找出失效部位，分析引發(fā)TVS 短路失效的內(nèi)在質(zhì)量因素或使用因素，以及失效的發(fā)生過程。其中內(nèi)在質(zhì)量因素即與器件設(shè)計(jì)、材料、工藝、組裝、封裝相關(guān)的引起器件失效的因素；使用因素即除內(nèi)在質(zhì)量因素以外的引起器件失效的因素，通常與過電引力、靜電放電、過載、錯(cuò)誤使用等相關(guān)。

 

3  引發(fā) TVS 短路失效的內(nèi)在質(zhì)量因素和失效機(jī)理

 

TVS 器件主要由芯片、電極系統(tǒng)和管殼3 部分構(gòu)成。其中芯片是核心，通常在單晶硅片上采用擴(kuò)散工藝形成。將擴(kuò)散好的芯片經(jīng)過腐蝕成臺面狀、芯片鍍鎳、燒焊、涂保護(hù)膠、封帽、點(diǎn)焊上引線、外引線鍍錫等工序便完成TVS 器件的制造。如果 TVS 制造工藝過程中控制不良，則可能造成 TVS 器件的固有缺陷，使TVS 成品率和可靠性降低，在篩選或使用中容易失效。TVS 篩選短路失效樣品分析和統(tǒng)計(jì)表明，TVS 引發(fā)篩選短路的內(nèi)在質(zhì)量因素有很多，各因素的比例如圖 1 所示。這些因素也是使用中引發(fā) TVS 短路失效的主要內(nèi)在質(zhì)量因素。

 

圖 1-引發(fā) TVS 篩選短路失效的內(nèi)在質(zhì)量因素分布

 

3.1 芯片粘結(jié)界面空洞

 

引發(fā) TVS 短路的最典型的原因是管芯與內(nèi)引線組件、底座銅片燒結(jié)不良，在燒結(jié)界面出現(xiàn)大面積空洞，如圖2 所示。

 

 

空洞可能是由于焊料不均勻或粘結(jié)界面各層材料玷污、氧化使焊料沾潤不良，造成燒焊時(shí)焊料與芯片或金屬電極沒有良好的熔合焊接引起的?？斩疵娣e較大時(shí)，電流在燒結(jié)點(diǎn)附近匯聚，管芯散熱困難，造成熱電應(yīng)力集中，產(chǎn)生局部熱點(diǎn)，嚴(yán)重時(shí)引起熱奔，使器件燒毀。對這些燒毀的器件進(jìn)行解剖分析，可以看到有芯片局部較深的熔融；空洞面積較小時(shí)，可加速焊料熱疲勞，使焊料層會(huì)產(chǎn)生疲勞龜裂，引起器件熱阻增大，最終導(dǎo)致器件過熱燒毀。

 

3.2 臺面缺陷

      

TVS 臺面缺陷造成的失效常常是批次性的。TVS 制造工藝過程中造成芯片臺面損傷的原因主要有兩個(gè)：

 

1）芯片在酸蝕成型時(shí)，由于氫氟酸、硝酸混合液配方過濃或溫度過高而反應(yīng)劇烈；

 

燒焊過后進(jìn)行堿腐蝕清洗時(shí)，腐蝕液濃度過大、溫度過高而造成堿腐蝕清洗過重。在顯微鏡下觀察堿腐蝕清洗過重的臺面，可以看到臺面有類似被沖刷的痕跡，如圖3 所示，這是因?yàn)楣杵冢?， 0， 0）晶向被堿腐蝕清洗試劑腐蝕的速率最快。) 

 

 

3-堿腐蝕清洗過重的臺面

      

臺面缺陷或損傷的 TVS 器件經(jīng)過溫度循環(huán)和箝位沖擊等篩選試驗(yàn)后，進(jìn)行電參數(shù)測試時(shí)通常表現(xiàn)為短路或擊穿特性異常，從而被剔除。但輕微臺面損傷的TVS 器件在篩選后電參數(shù)測試時(shí)不易被發(fā)現(xiàn)，可能被列為良品出廠。這些 TVS 器件在使用過程中經(jīng)受長時(shí)間熱、電、機(jī)械等應(yīng)力的作用后，臺面缺陷加劇，在缺陷處形成載流子產(chǎn)生復(fù)合中心，使表面反向漏電流大大增加。大的表面反向漏電流使pn 結(jié)邊緣溫度升高，產(chǎn)生熱電綜合效應(yīng)，最終導(dǎo)致 pn 結(jié)邊緣半導(dǎo)體材料溫度過高燒毀。

 

3.3 表面強(qiáng)積累層或強(qiáng)反型層

 

即便TVS 器件芯片臺面完好，TVS 短路失效也容易發(fā)生在表面。這是由于晶體結(jié)構(gòu)的周期性在表面上中斷，加上半導(dǎo)體表面往往存在許多磨片、拋光、噴砂、切片等引起的晶格缺陷，吸附腐蝕時(shí)殘留的化學(xué)品、氣體或其它污染物，會(huì)使半導(dǎo)體表面帶電。表面電荷被保護(hù)膠鈍化，并吸附或排斥半導(dǎo)體體內(nèi)的自由載流子，在pn 結(jié)邊緣形成表面積累層、耗盡層或反型層等表面空間電荷層。在外加電壓的作用下，強(qiáng)積累層或強(qiáng)反型層使pn 結(jié)邊緣電場強(qiáng)度大于體內(nèi)，如圖 4 所示。因此，pn 結(jié)邊緣部分在比額定擊穿電壓低的電壓下便達(dá)到臨界電場而發(fā)生載流子倍增效應(yīng)，造成pn 結(jié)邊緣電流集中，功率密度過大，溫度過高而燒毀。

 

圖 4-外加反向電壓作用下表面積累層對體內(nèi)耗盡區(qū)的作用

 

3.4 芯片裂紋

 

芯片裂紋是引起 TVS 短路失效的又一重要內(nèi)在質(zhì)量因素。它可能是由磨片、拋光、噴砂、切片等殘留應(yīng)力以及燒結(jié)后殘留變形等因素引起，也可能是由于溫度變化時(shí)保護(hù)膠和電極系統(tǒng)對芯片熱不匹配應(yīng)力而引起。細(xì)微裂紋在高低溫循環(huán)，脈沖沖擊或機(jī)械振動(dòng)作用下會(huì)增大。如果裂紋在pn 結(jié)處，則引起 TVS 器件反向漏電流增大；如果裂紋在 pn 結(jié)附近，將會(huì)導(dǎo)致裂紋處載流子復(fù)合，裂紋附近載流子數(shù)目減少，pn 結(jié)特性變壞。這兩種情況都能使 TVS 器件反向功率負(fù)荷能力下降。

 

3.5 雜質(zhì)擴(kuò)散不均勻

 

TVS的芯片通常是在一定電阻率的P 型或N 型硅片上先進(jìn)行磷擴(kuò)散后進(jìn)行硼擴(kuò)散形成的。如果擴(kuò)散工藝過程中出現(xiàn)硅片電阻率軸向或徑向不均勻，雜質(zhì)濃度不均勻，體內(nèi)缺陷（位錯(cuò)、層錯(cuò)、微缺陷）或pn 結(jié)表面不平整等情況，將會(huì)造成硅片摻雜不均勻，使硅片各處擊穿電壓不同，從而使器件擊穿時(shí)管芯電流分布不均勻，多次浪涌沖擊后局

部燒毀。

 

4 引發(fā) TVS 短路失效的使用因素和失效機(jī)理

 

4.1 過電應(yīng)力

 

當(dāng)瞬態(tài)脈沖能量超過 TVS 所能承受能量時(shí)會(huì)引起 TVS 器件過電應(yīng)力損傷，特別是當(dāng)瞬態(tài)脈沖能量達(dá)到 TVS 所能承受能量的數(shù)倍時(shí)會(huì)直接導(dǎo)致 TVS 器件過電應(yīng)力燒毀，失效模式表現(xiàn)為短路。過電應(yīng)力短路失效的 TVS 芯片在掃描電鏡下觀察，可發(fā)現(xiàn) pn 結(jié)表面邊緣的熔融區(qū)域或體內(nèi)硅片的上表面和下表面的黑斑。

 

試驗(yàn)表明，發(fā)生在結(jié)表面邊緣過電應(yīng)力短路失效通常是由持續(xù)時(shí)間極短（ns 級）的高能量瞬態(tài)脈沖所致，例如：EMP、ESD 產(chǎn)生的脈沖；體內(nèi)過電應(yīng)力失效通常是由持續(xù)時(shí)間稍長（μs 級以上）高能量脈沖所致，例如：電快速瞬變，雷電產(chǎn)生的脈沖。如果高能量瞬態(tài)脈沖持續(xù)時(shí)間介于 ns 級和 μs 級之間，則短路可能發(fā)生在結(jié)邊緣表面，也可能發(fā)生在體內(nèi)。這一結(jié)果可通過熱傳導(dǎo)速率、硅和電極金屬的熔融溫度得到解釋。如圖5 所示，pn 結(jié)邊緣到熱沉的傳熱路徑比體內(nèi)長，傳熱較體內(nèi)慢，因此結(jié)邊緣溫度比體內(nèi)高。持續(xù)時(shí)間極短（ns 級）的高能量瞬態(tài)脈沖使邊緣溫度急劇升高，導(dǎo)致邊緣熱擊穿而燒毀。而持續(xù)時(shí)間較長（μs 以上）脈沖使邊緣熱量有足夠的時(shí)間傳至芯片中心周圍。隨著芯片溫度的升高，芯片中心周圍產(chǎn)生熔融通道。當(dāng)熔融從芯片的一表面延伸到另一表面時(shí)，硅片溫度超過1400 ℃，處于熔融和非晶狀態(tài)，成為導(dǎo)體，形成導(dǎo)電通路，使芯片短路。如果脈沖持續(xù)時(shí)間達(dá)到ms 級，例如，雷電產(chǎn)生的脈沖，還會(huì)使鉛錫焊料達(dá)到 700 ℃以上而發(fā)生熔融。

 

圖 5-TVS 芯片表面?zhèn)鳠崧窂?/div>