【導(dǎo)讀】近日，Diodes公司為空間要求嚴(yán)格的產(chǎn)品設(shè)計(jì)新推出的三款小信號(hào)MOSFET，微型場(chǎng)效應(yīng)晶體管能節(jié)省40%空間。新推出的產(chǎn)品包括了20V和30V額定值的N通道晶體管，以及30V額定值的P通道器件，產(chǎn)品全都采用了DFN0606微型封裝。
DMN2990UFZ (20V nMOS通道)、DMN31D5UFZ (30V nMOS通道) 和 DMP32D9UFZ (30V pMOS通道) 能夠提供與大多數(shù)大型封裝器件相同甚至更優(yōu)的電氣性能。新產(chǎn)品旨在盡量降低導(dǎo)通電阻，并同時(shí)維持卓越的開(kāi)關(guān)性能。此外，器件的典型閾值電壓低於1V，這種低開(kāi)啟電壓非常適合單電池工作模式。
全新微型MOSFET非常適合用于高效率功率管理，還可作為通用介面及簡(jiǎn)單的模擬開(kāi)關(guān)。這些DFN0606封裝器件的功耗達(dá)到300mW，使電路功率密度得以提升。
每個(gè)器件的電路板占位面積僅0.6mm x 0.6mm， 比一般采用DFN1006 (SOT883) 封裝的MOSFET小40%，是下一代可穿戴科技產(chǎn)品、平板電腦及智能手機(jī)的理想之選。
