【導(dǎo)讀】在封裝內(nèi)部添加IC組成振蕩電路的晶體元件稱為晶體振蕩器。本文為大家普及一下關(guān)于晶振振蕩電路設(shè)計(jì)的相關(guān)知識點(diǎn)。希望能幫助到大家。
晶片，石英晶體或晶體、晶振、石英晶體諧振器從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片。晶體振蕩器:在封裝內(nèi)部添加IC組成振蕩電路的晶體元件稱為晶體振蕩器。
1 晶振的等效電氣特性
（1） 概念
［1］ 晶片，石英晶體或晶體、晶振、石英晶體諧振器
從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片。
［2］ 晶體振蕩器
在封裝內(nèi)部添加IC組成振蕩電路的晶體元件稱為晶體振蕩器。
（2） 晶振的等效電路
Figure1. 晶振的等效電路
Figure 1展示了晶振等效的電路。R是有效的串聯(lián)電阻，L和C分別是電感和電容動(dòng)態(tài)元件。CP 是晶振電極的分流電容。
（3） 晶振等效電路的特殊狀態(tài)
Figure2是Figure 1電路中的阻抗頻率圖，不分析得出此圖規(guī)律的過程（原理）。
Figure2. 晶振的阻抗VS 頻率圖
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［1］ 串聯(lián)諧振頻率
根據(jù)Figure 2，當(dāng)晶振工作在串聯(lián)諧振（《電路基礎(chǔ)》）狀態(tài)（XC=XL）下時(shí)電路就似一個(gè)純電阻電路。串聯(lián)諧振的頻率為：
［2］ 并聯(lián)諧振頻率
Figure 2中體現(xiàn)了隨著頻率小范圍的升高，F(xiàn)igure1所示電路出現(xiàn)了并聯(lián)諧振。此時(shí)的頻率為fa（不分析電路產(chǎn)生并聯(lián)諧振的過程）。
［3］ 串聯(lián)諧振與并聯(lián)諧振之間的頻率并聯(lián)CL的并聯(lián)諧振
Figure1所示電路有兩個(gè)諧振點(diǎn)，以頻率的高低分其中較低的頻率為串聯(lián)諧振，較高的頻率為并聯(lián)諧振。由于晶體自身的特性致使這兩個(gè)頻率的距離相當(dāng)?shù)慕咏谶@個(gè)極窄的頻率范圍內(nèi)（fs - fa），晶振等效為一個(gè)電感（不分析WHY），所以只要晶振的兩端并聯(lián)上合適的電容CL它就會(huì)組成新的并聯(lián)諧振電路。此時(shí)發(fā)生并聯(lián)諧振的頻率的計(jì)算公式為：
MX-COM的所有的晶振振蕩器都推薦使用晶振的并聯(lián)諧振模式。
2 晶振電路的設(shè)計(jì)
（1） 推薦的晶振振蕩器電路
Figure3. 晶振振蕩器設(shè)計(jì)電路
圖示中，沒在紅方框之內(nèi)部分電路一般都被集成在芯片（如STM3210xxx）內(nèi)部。若電阻部分沒有被集成在芯片內(nèi)部，則需要考慮將電阻部分加入。Rf的值在500KΩ ~ 2MΩ。
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圖示的C1，C2就是為晶振工作在并聯(lián)諧振狀態(tài)下得到加載電容CL的電容。關(guān)于最優(yōu)的加載電容CL的計(jì)算公式為：
其中Cs是來自板子的干擾電容值，5pf可以作為一個(gè)典型值被帶入以上公式中計(jì)算。
（2） 避免晶振振蕩器的不穩(wěn)定與啟振問題
選擇合適的C1和C2的值就能夠滿足以上與CL的方程（整體的思路見3）。通常需要C1和C2的值近似相等。C1和/或C2的值較大時(shí)能夠增加頻率的穩(wěn)定性，但會(huì)減少回路增益并且可能會(huì)引起整個(gè)晶振振蕩器的起振問題。
R1的主要被用來限制反相器（inverter）的輸出，以保證晶振不被過分驅(qū)動(dòng)。R1和C1構(gòu)成劃分電壓電路，C1和R1的取值要盡量使反相器的輸出靠近軌到軌（指器件的輸入輸出電壓范圍可以達(dá)到電源電壓）且使晶振的輸入要達(dá)到軌到軌的60%，通常的實(shí)踐是是R1的電阻與C1的容抗相等，如R1 約等于XC1。這使晶振的輸入是反相器輸出的一半。通常需要確保晶振分得的電壓要在晶振所能承受的范圍之內(nèi)，過分的驅(qū)動(dòng)晶振會(huì)損害晶振。使用晶振是要參考制造商的推薦。
理想狀況下，反相器會(huì)產(chǎn)生180°的相位偏移，但反相器固有的延遲會(huì)導(dǎo)致一個(gè)與這種延遲成某種比例的額外的的一個(gè)相位偏移。為了確保在在控制回路中產(chǎn)生360°的的相位偏移，需要使π網(wǎng)絡(luò)（回路）產(chǎn)生的相位偏移少于180°。調(diào)節(jié)R1的值就可以完成這個(gè)目標(biāo)。在固定C1和C2的情況下，可以通過調(diào)節(jié)R1的值來更改閉環(huán)增益和相位偏移。在某些應(yīng)用中，遇到上述兩種情況時(shí)R1也可被忽略。
一些IC將提到的這些器件（Rf，R1，C1，C2）都集成到了芯片內(nèi)部，如此就可為晶振振蕩電路的設(shè)計(jì)者免去一些擔(dān)憂。在這種情況下只需要將晶振簡單的連接到芯片給出的兩個(gè)XTAL引腳上即可。
提示：
．選擇一個(gè)有效串聯(lián)電阻較小的晶振可以有利避免起振時(shí)的問題，且增加回路增益。
．縮短板上的布線路徑可以減少干擾電容（Cs），這將有利于減小起振問題，同時(shí)有利于晶振振蕩電路頻率的穩(wěn)定性。
．為了確保晶振振蕩器起振良好及振蕩頻率的穩(wěn)定性，需要在適用的溫度和電壓范圍測試晶振振蕩器電路，必要時(shí)更改各器件的值。
．優(yōu)化R1值的推薦方式是提前計(jì)算出C1和C2的值并用一個(gè)分壓計(jì)代替R1，設(shè)置分壓計(jì)的初始值近似為XC1。在晶振起振和維持晶振振蕩器穩(wěn)定頻率的條件下，必要時(shí)調(diào)整分壓計(jì)。
．要想設(shè)計(jì)出最好的晶振振蕩電路，聯(lián)系制造商了解晶振的精確的特性再根據(jù)以上指標(biāo)來設(shè)計(jì)。
（3） 計(jì)算C1和C2的思路
根據(jù)MCU的系統(tǒng)時(shí)鐘（SYSCLK）或者與晶振振蕩器關(guān)聯(lián)的時(shí)鐘需求值（芯片會(huì)告知）依據(jù)fa的計(jì)算公式計(jì)算出CL，再有計(jì)算CL的公式和C1與C2近相等的原則得出C1和C2的值。
在為芯片設(shè)計(jì)晶振振蕩器的電路時(shí)，首先查看與晶振相連引腳內(nèi)部都集成了哪些部分，Rf與R1是否還需要在外部設(shè)計(jì)。
