你的位置:首頁 > 電路保護 > 正文

基于 PSR-28464 的 48Vdc 直流電源浪涌防護解決方案

發(fā)布時間:2014-09-03 責(zé)任編輯:stone

【導(dǎo)讀】浪涌是發(fā)生在僅僅幾百萬分之一秒時間內(nèi)的一種劇烈脈沖,如果不對其進行防護,就會對設(shè)備造成損害。

我們知道,電源在剛開通的那一瞬息會產(chǎn)生強力脈沖,由于電路本身的非線性有可能高于電源本身的脈沖;或者由于電源或電路中其它部分會受到本身或外來尖脈沖干擾,而產(chǎn)生浪涌。由于浪涌是發(fā)生在僅僅幾百萬分之一秒時間內(nèi)的一種劇烈脈沖,如果不對其進行防護,就會對設(shè)備造成損害。

1、電源浪涌防護設(shè)計

這里推薦一種基于 TE 堆疊型 GDT PSR-28464 的室外或基站直流電源浪涌防護解決方案,如圖 1 所示。該方案中的第一級雷擊電流瀉放采用單獨的堆疊 GDT 替代傳統(tǒng)的 GDT 與 MOV 串聯(lián),與第二級防護 MOV 之間的耦合可以根據(jù)客戶的具體應(yīng)用采用電感或電阻來實現(xiàn)。

此方案,可以在更小占板面積下,實現(xiàn)高達 20KA 的 8/20us 雷擊電流防護。圖 2 為基于 PSR-28464 的 48Vdc 電源的實際保護效果。

基于TE PSR-28463 堆疊GDT的48Vdc電源解決方案
 
圖1:基于 TE PSR-28463 堆疊 GDT 的 48Vdc 電源解決方案

5KA & 10KA 8/20us 雷擊電流測試下輸出端的Up電壓
 
圖 2:5KA & 10KA 8/20us 雷擊電流測試下輸出端的 Up 電壓
 
以上方案驗證測試中第二級浪涌防護器件 MOV 的額定直流電壓為 100Vdc,其保護電壓的峰值低于 500V。當(dāng) GDT 擊穿導(dǎo)通后,MOV 由于其鉗位電壓遠高于 GDT 的弧光電壓而失去鉗位能力,此時在電路輸出端可以看到保護電壓水平大概在 100V 左右,其電壓保護效果遠優(yōu)于由 MOV 與 GDT 串聯(lián)方案下的Up值,后者的保護水平由 MOV 的電壓鉗位水平?jīng)Q定。而總所周知的是 MOV 的電壓鉗位能力與流過 MOV 本身的電流大小有關(guān),當(dāng)流過 MOV 的電流變大時,鉗位電壓會變得很高,而 GDT 的弧光放電電壓則跟每個堆疊的 GDT 和堆疊的層數(shù)相關(guān),該電壓值遠遠小于 MOV 的鉗位電壓,因此其保護的效果也由于后者。

2、優(yōu)勢分析

隨著客戶對于直流電源防護能力、防護方案的尺寸、以及性價比要求的提高,傳統(tǒng)的 GDT 加 MOV 的保護解決方案暴露出其占板面積大、多元器件并聯(lián)、成本高以及高保護殘壓等不足。而基于 TE 新型堆疊 GDT 的方案則因其具有以下優(yōu)勢:

(1)、緊湊的堆疊 GDT,長度 B<12mm, 高度 H<9mm,實現(xiàn) 20KA 的 8/20us 防護能力

(2)、直接應(yīng)用于直流電源,無續(xù)流問題,無需 MOV 串聯(lián)

(3)、高絕緣電阻,低電容

(4)、與多個 MOV 并聯(lián)解決方案相比,相同的保護能力,其高度降低 50%, PCB 占板面積節(jié)省超過 70%

(5)、不存在不同并聯(lián)支路間不平衡電流的問題

由于多級堆疊 GDT 由于其擁有以上諸多優(yōu)點,使得它理想適用于各種 48-72Vdc 直流電源的雷擊浪涌防護。

因此我們在進行電路設(shè)計時,要盡可能的利用浪涌保護器,對電子設(shè)備、儀器儀表、通訊線路等提供安全防護。使得當(dāng)在電氣回路或者通信線路中因為外界的干擾突然產(chǎn)生尖峰電流或者電壓時,浪涌保護器能在極短的時間內(nèi)導(dǎo)通分流,從而避免浪涌對回路中其他設(shè)備的損害。

相關(guān)閱讀:

EMI解決方法之多層PCB設(shè)計

硅基器件在平板電腦各模塊ESD中的應(yīng)用

基于OMAP5910處理器的一種低壓保護測控裝置


特別推薦
技術(shù)文章更多>>
技術(shù)白皮書下載更多>>
熱門搜索
?

關(guān)閉

?

關(guān)閉