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適用于大型邏輯電路的POL轉(zhuǎn)換器IC

發(fā)布時間:2013-01-06 責(zé)任編輯:easonxu

【導(dǎo)讀】瑞薩推出采用超小型封裝的快速反應(yīng)POL轉(zhuǎn)換器IC,提供六種不同電流供應(yīng)等級與功能的產(chǎn)品,適用于多種應(yīng)用領(lǐng)域中的ASI與其他大型邏輯電路,包括個人計算機(jī)、服務(wù)器、工業(yè)用設(shè)備、辦公室自動化及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備。


瑞薩電子(Renesas Electronics)開發(fā) RAA20770X 系列mini-POL 轉(zhuǎn)換器 IC,具備面積縮小75%的晶圓級芯片尺寸封裝及超低熱阻,提供六種不同電流供應(yīng)等級與功能的產(chǎn)品,適用于多種應(yīng)用領(lǐng)域中的ASI與其他大型邏輯電路,包括個人計算機(jī)、服務(wù)器、工業(yè)用設(shè)備、辦公室自動化及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備。

因應(yīng)電源供應(yīng)器市場為實現(xiàn)節(jié)能而須降低耗電量的要求,以及市場對于具高功能性半導(dǎo)體產(chǎn)品需求的增加,如微控制器(MCU)、SoC裝置等,而使供應(yīng)電壓趨向多樣化。瑞薩新產(chǎn)品RAA20770X可在正常負(fù)載下執(zhí)行高效能電源轉(zhuǎn)換,并快速且規(guī)律地轉(zhuǎn)換至低功率模式。因此可降低整體系統(tǒng)的耗電量,并協(xié)助實現(xiàn)高能源效率的社會。

此外,RAA20770X系列采用等同于芯片本身大小的超小型晶圓級芯片尺寸封裝,此系列產(chǎn)品尺寸相較于早期的瑞薩產(chǎn)品縮小75%。另外,由于封裝內(nèi)無需導(dǎo)線連接,因而可降低導(dǎo)線電阻,有助于提升電壓轉(zhuǎn)換效率。RAA20770X系列更是第一款具備此整合度的小型封裝產(chǎn)品。

瑞薩在RAA20770X產(chǎn)品中采用晶圓級芯片尺寸的封裝,實現(xiàn)以迷你外型供應(yīng)大量電流的POL裝置,因此可將IC內(nèi)部導(dǎo)線電阻及封裝導(dǎo)線電阻,降至絕對極小值。例如,支持最大額定電流10A的RAA207701GBM,封裝尺寸極小,僅2.7×3.4 mm,相較于瑞薩較早的SiP POL產(chǎn)品,其封裝尺寸約縮小75%。此外,從封裝表面到芯片接合區(qū)的熱阻僅有極低的1℃/W,可在搭配散熱片及氣流時,提供高散熱設(shè)計。

次世代筆記本電腦將需要類似現(xiàn)有平板計算機(jī)及手機(jī),在待機(jī)時仍可進(jìn)行信息更新與擷取的功能(聯(lián)機(jī)待機(jī)),故必須盡可能降低聯(lián)機(jī)待機(jī)模式時的耗電量。為滿足此需求,RAA20770X系列產(chǎn)品采用恒定導(dǎo)通時間控制方法。在低耗電模式時,負(fù)載電流較低,可達(dá)到約0.5uW的低耗電量。恒定導(dǎo)通時間控制方法的另一項優(yōu)點,則是可藉由降低運作頻率來減少POL轉(zhuǎn)換器的耗電量;沒有負(fù)載時可降低1.6 mW耗電量,在待機(jī)模式下可達(dá)到0.5uW。恒定導(dǎo)通時間控制方法亦具備快速反應(yīng)的優(yōu)點。例如,即使電子設(shè)備從省電模式切換至正常模式,發(fā)生電流快速增加的情況,轉(zhuǎn)換器亦可藉由提高運作頻率而立即反應(yīng)。

RAA20770X系列產(chǎn)品在同一芯片內(nèi)整合了POL轉(zhuǎn)換器所需要的多種保護(hù)功能,例如過電流、過電壓及熱保護(hù)等。因此,此系列產(chǎn)品支持安全且具有靈活性強(qiáng)的高可靠性電源供應(yīng)系統(tǒng)設(shè)計,僅需搭配最少的外部組件,不僅可簡化設(shè)計,并能減少物料清單。除此之外,亦可修改輸出電壓與運作頻率以符合所采用的應(yīng)用需求,提供適用于多種應(yīng)用的作業(yè)彈性。

新款RAA207703GBM、RAA207704GBM及RAA207705GBM裝置包括整合的5V低壓降穩(wěn)壓器(LDO)電路,可提供電源供應(yīng)控制器內(nèi)部所需的5V,所以無需外部的電源供應(yīng)。如此一來,即可使系統(tǒng)僅以單一電壓運作,例如使用12V電源供應(yīng)。

RAA20770X系列產(chǎn)品除了結(jié)合電源供應(yīng)控制器與驅(qū)動控制器IC之外,還在單芯片中整合了兩個已針對 POL 轉(zhuǎn)換器進(jìn)行優(yōu)化的 MOSFET ,可將 ASIC 等大規(guī)模集成電路所使用的5 V或12 V輸入電壓降壓至1 V或3.3V。例如,具備最大額定電流10A的RAA207701GBM,以12V輸入及3.3V輸出而言,可實現(xiàn)從低電流區(qū)流至高電流區(qū)的高效率電源轉(zhuǎn)換,特別是在10 mA時效率可達(dá)到89%,4A時可達(dá)到95%,10A時可達(dá)到92%。上述電源轉(zhuǎn)換效率將有助于降低終端產(chǎn)品的整體耗電量。

RAA20770X系列POL轉(zhuǎn)換器IC自2012年12月開始供應(yīng)樣品;量產(chǎn)時程為2013年3月,預(yù)估至2013年7月每月產(chǎn)能可達(dá)50萬顆。

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