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六種最常用的浪涌防護(hù)器件

發(fā)布時(shí)間:2012-12-30 責(zé)任編輯:easonxu

【導(dǎo)讀】電子產(chǎn)品在使用中經(jīng)常會(huì)遇到意外的電壓瞬變和浪涌,為了提高電子產(chǎn)品的可靠性和人體自身的安全性,必須對(duì)電壓瞬變和浪涌采取防護(hù)措施。主要的浪涌防護(hù)器件有:金屬氧化物壓敏電阻MOV、硅雪崩二級(jí)管SAD、濾波電容器和混合型等。

金屬氧化物壓敏電阻MOV

是非線性的電子元件,允許大電流通過維持接線端(指定端)很低的殘余電壓。當(dāng)金屬氧化物壓敏電阻遇到瞬時(shí)超過它的啟動(dòng)電壓時(shí),它立即由高阻抗變?yōu)榈妥杩?,讓瞬間巨大的浪涌泄放到大地,使危險(xiǎn)的高電壓遠(yuǎn)離敏感的電子設(shè)備。

典型的有氧化鋅(ZnO)浪涌吸收器,它是一種以ZnO材料為主,添加多種過渡性金屬氧化物經(jīng)高溫?zé)商幚矶傻亩嗑О雽?dǎo)體陶瓷元件。由于電微觀結(jié)構(gòu)的隧道效應(yīng),使它具有與齊納二極管相似的非線性電壓一電流特性曲線。另外,該元件的承受脈沖能量幾乎是齊納二極管的幾十或幾百倍。至今,這種元件已廣泛地應(yīng)用于電源設(shè)備或其他低頻電路防雷擊和吸收開關(guān)電涌。

濾波電容器

它能消除巨大的脈沖危害,并可以過濾高頻噪音。當(dāng)幅度為幾十伏到幾百伏的高脈沖進(jìn)入電源時(shí),若沒經(jīng)過處理,這些脈沖會(huì)導(dǎo)致電子系統(tǒng)紊亂和元件劣變。瞬間浪涌可以經(jīng)金屬氧化物壓敏電阻與硅雪崩二極管處理,但無法消除高頻噪音,而濾波電容即可解決此問題。

混合型

它兼容了金屬氧化物壓敏電阻的大過流容量特性,提高浪涌電流導(dǎo)通能力,又具有硅雪崩二極管的反應(yīng)快并具鉗位電壓低的特性。為您提供最低的平穩(wěn)鉗位電壓。同時(shí)由濾波電容器消除高頻噪音。

NTC熱敏電阻器

抑制浪涌電流用負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻能有效地將開機(jī)瞬間的浪涌電流抑制在十分之一以內(nèi),而不影響儀器的正常工作,并且在正常工作時(shí)其阻值很小,從而所耗散的功率也很少。這類元件已廣泛用于各類開關(guān)電源中。

瞬變電壓抑制器(TVS)

瞬變電壓抑制器(TVS)是一種特殊的硅二極管雪崩器件,故也稱為閉變電壓抑制二極管,其工作原理與齊納二極管相似。特性及符號(hào)與齊納二極管相同,但與一般的齊納二極管不同的是對(duì)TVS器件有大面積的PN結(jié),具有承受瞬間大電流的能力,另外它的反向特位為典型的雪崩型,在雪崩時(shí)有低動(dòng)態(tài)阻抗及低箝位電壓,只要將TVS并接手要保護(hù)的電路上,當(dāng)有瞬態(tài)電壓發(fā)生時(shí),TVS將快速響應(yīng)(擊穿),以耗散大的浪涌電流,電路被塔位于低電壓,使電路得以保護(hù)。

CSSPD

CSSPD即控制維持電流型硅防護(hù)浪涌器件(Current type Silicon Surge Protective Device),它由日本新電元工業(yè)公司于1988年研制成功。該器件雙向兩端器件,由pnpnp五層組成,它是在單芯片上逆向并聯(lián)組成的復(fù)合器件。CSSPD的優(yōu)點(diǎn)是響應(yīng)速度快、不需多級(jí)防護(hù)電路、耐電流量大、靜電容量小和可靠性高等,特別適用于防護(hù)雷電浪涌。日本新電元工業(yè)公司已推出多種有引線和無引線CSSPD,如DV3-5、KP4、KP15N系列、SV1-2和VR-60系列等。該公司還推出一種無引線橋整流(四端),型號(hào)KW4R,它含一個(gè)CSSPD(KP4R20)和四個(gè)整流二極管(S1WB60),它特別適用通信電路和電容性電源的防護(hù)。
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