產(chǎn)品特性：

• 采用薄型封裝
• 滿(mǎn)足空間受限設(shè)計(jì)對(duì)更小封裝的需求
• 滿(mǎn)足對(duì)電池充電和功率多工的效率和熱性能需求

應(yīng)用范圍：

• 適用于在最新的便攜式手機(jī)、媒體播放器和醫(yī)療設(shè)備中常見(jiàn)的薄型設(shè)計(jì)

飛兆半導(dǎo)體公司(Farichild Semiconductor)宣布其MicroFET現(xiàn)推出行業(yè)領(lǐng)先的薄型封裝版本，幫助設(shè)計(jì)人員提升其設(shè)計(jì)性能。飛兆半導(dǎo)體與設(shè)計(jì)工程師和采購(gòu)經(jīng)理合作，開(kāi)發(fā)了集成式P溝道PowerTrench® MOSFET與肖特基二極管器件FDFMA2P859T，利用單一封裝解決方案，滿(mǎn)足對(duì)電池充電和功率多工(power-multiplexing)應(yīng)用至關(guān)重要的效率和熱性能需求。

相比傳統(tǒng)MOSFET器件，F(xiàn)DFMA2P859T具有出色的功率耗散和傳導(dǎo)損耗特性，且其封裝高度為0.55mm，比行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)0.8mm MicroFET降低了30%，適用于在最新的便攜式手機(jī)、媒體播放器和醫(yī)療設(shè)備中常見(jiàn)的薄型設(shè)計(jì)。
　　　
FDFMA2P859T專(zhuān)為滿(mǎn)足客戶(hù)的設(shè)計(jì)需求而開(kāi)發(fā)，在緊湊的占位面積中提供了出色的熱性能，并確保肖特基二極管在Vr=10V下保持1µA的極低反向泄漏電流(lr)。這些特性都能夠大大提升線(xiàn)性模式電池充電和功率多工應(yīng)用的性能和效率。
　　　
FDFMA2P859T是飛兆半導(dǎo)體廣泛的MOSFET產(chǎn)品系列的一部分，此系列的特別設(shè)計(jì)能夠滿(mǎn)足當(dāng)今和未來(lái)設(shè)計(jì)之效率、空間和熱性能需求。