- 熔斷器的工作原理
- 熔斷器的主要參數(shù)
- 熔斷器選用時(shí)須考慮的主要參數(shù)
- 重要參數(shù)的計(jì)算方法
- 根據(jù)熔化熱能I2t 選擇熔斷器電流型號(hào)匹配指導(dǎo)
- 環(huán)境溫度應(yīng)在規(guī)定工作溫度范圍之內(nèi),當(dāng)超過環(huán)境溫度25℃時(shí),應(yīng)參照溫度折減曲線降級(jí)使用
- 熔斷器所在電路中的最高電壓不應(yīng)超過熔斷器的額定電壓
- 額定電流:通過熔斷器的工作電流不應(yīng)超過額定電流的75%
- 短路截流能力:熔斷器所在的電路中可能出現(xiàn)的最大短路電流不應(yīng)超過熔斷器的短路截流能力
- 熔斷特性:熔斷器在出現(xiàn)需要切斷的過載電流時(shí)的熔斷速度應(yīng)滿足應(yīng)用上的要求
- 熔斷器的I2t應(yīng)大于浪涌電流的I2t
熔斷器的工作原理
當(dāng)電流通過導(dǎo)體時(shí),因?qū)w存在一定的電阻,所以導(dǎo)體將會(huì)發(fā)熱且發(fā)熱量遵循著Q=I2Rt,其中Q是發(fā)熱量,I是通過導(dǎo)體的電流,R是導(dǎo)體的電阻,t是電流通過導(dǎo)體的時(shí)間。當(dāng)制作熔斷器的材料及其形狀確定,其電阻R就相對(duì)確定了(若不考慮電阻溫度系數(shù)),當(dāng)通電流后就會(huì)發(fā)熱,隨時(shí)間增加其發(fā)熱量亦增加,如果產(chǎn)生的熱量超過散發(fā)的熱量,熔斷器的溫度就會(huì)增加,當(dāng)溫度升到熔斷器的熔絲熔點(diǎn)時(shí)熔斷器就發(fā)生熔斷亦即斷開電路起到保護(hù)作用。
熔斷器的主要參數(shù)
- 工作溫度: 指熔斷器周圍的溫度,AEM熔斷器的工作溫度范圍為-55℃到+125℃。
- 尺 寸: 片式熔斷器通常采用EIA/EIAJ規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)尺寸:1206,0603,0402。
- 額定電壓: 熔斷器在切斷過載電流過程中所能承受的最高電壓。
- 額定電流: 熔斷器所能承載的工作電流,目前AEM熔斷器可提供的額定電流范圍由0.25A到8A不等。
- 額定分?jǐn)嗄芰Γ?又稱短路截流能力,額定電壓下能安全切斷的最大故障電流。
- 熔斷特性: 在給定過載電流情況下的熔斷速度。
- 熔化熱能: I2t指熔斷器熔斷所需要的能量。
熔斷器選用時(shí)須考慮的主要參數(shù)
- 1. 工作溫度:熔斷器工作時(shí)的環(huán)境溫度應(yīng)在規(guī)定的工作溫度范圍之內(nèi),當(dāng)環(huán)境溫度超過25℃時(shí),應(yīng)參照溫度折減曲線降級(jí)使用。
- 2. 額定電壓:熔斷器所在電路中的最高電壓不應(yīng)超過熔斷器的額定電壓。
- 3. 額定電流:通過熔斷器的工作電流不應(yīng)超過額定電流的75%。
- 4. 短路截流能力:熔斷器所在的電路中可能出現(xiàn)的最大短路電流不應(yīng)超過熔斷器的短路截流能力。
- 5. 熔斷特性:熔斷器在出現(xiàn)需要切斷的過載電流時(shí)的熔斷速度應(yīng)滿足應(yīng)用上的要求。
- 6. I2t:熔斷器的I2t應(yīng)大于浪涌電流的I2t 。
1. 溫度折減率: 當(dāng)熔斷器工作的環(huán)境溫度高于25℃時(shí)必須考慮溫度的影響,在選擇熔斷器額定值時(shí)可依據(jù):額定電流=工作電流/0.75/溫度折減率。 例如:如果工作溫度為65℃,從AEM溫度折減曲線可查出折減系數(shù)為90%,如果工作電流為4A,則我們應(yīng)該選用的熔斷器額定值為:4/0.75/90%=5.9A或6A。
AEM熔斷器溫度折減曲線如圖一所示:
![](/editorfiles/20090204012735_8988.jpg)
2. 幾種典型波形的I2t計(jì)算方法:
1)方波:
![](/editorfiles/20090204012817_1473.jpg)
2)正弦波:
![](/editorfiles/20090204012928_2796.jpg)
3)三角波:
![](/editorfiles/20090204013203_5584.jpg)
4)衰減波:
![](/editorfiles/20090204013807_6529.jpg)
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根據(jù)熔化熱能I2t 選擇熔斷器電流型號(hào)匹配指導(dǎo)
I2t通常用于衡量一個(gè)熔斷器熔斷時(shí)所需要的能量,其中I為過載電流,t為熔斷時(shí)間。
I2t并非一個(gè)常數(shù),原因是一個(gè)熔斷器的熔斷時(shí)間并非單由生產(chǎn)的熱量決定。散熱的速度及熔斷器的熱容特性,均會(huì)影響熔斷時(shí)間。熔斷器的能量平衡關(guān)系可用下面的簡(jiǎn)化公式來表達(dá):
![](/editorfiles/20090204013944_7609.jpg)
其中m為熔斷器的質(zhì)量,Cp為比熱或熱容系數(shù),T為溫度,t為時(shí)間,
![](/editorfiles/20090204014152_2666.jpg)
當(dāng)產(chǎn)生熱量的速率等于散熱速率時(shí),
![](/editorfiles/20090204014152_2666.jpg)
熔斷器的散熱,主要由三種傳熱機(jī)理組成,即傳導(dǎo)、對(duì)流和輻射。這三種傳熱方式,其傳熱速率均與熔斷器及外界環(huán)境的溫度差有關(guān)。當(dāng)溫度差越大時(shí),傳熱的速率亦越大。傳導(dǎo)傳熱主要是通過熔斷器的本體材料,將電熱從熔斷器的導(dǎo)電部分傳到周邊,包括通過端頭傳到線路板及由外表面?zhèn)鞯街車目諝庵小?duì)流傳熱是由周圍空氣的流動(dòng)產(chǎn)生,對(duì)流傳熱有兩種方式:一為自然對(duì)流,即由于熔斷器表面的空氣被熔斷器加熱而產(chǎn)生密度的變化所造成;另一為強(qiáng)制對(duì)流,即由電子器件內(nèi)排風(fēng)扇強(qiáng)制空氣的流動(dòng)造成。輻射是由熔斷器表面產(chǎn)生的熱輻射造成,其速率取決于熔斷器表面溫度與環(huán)境溫度四次方之差和熔斷器表面及散熱空間的黑度。
當(dāng)熔斷器產(chǎn)生熱量的速度大于散熱速度時(shí),
![](/editorfiles/20090204014152_2666.jpg)
在電子電路中,時(shí)常會(huì)用到電容和電感。電容和電感均會(huì)在電流變化時(shí)吸收或放出能量,這就會(huì)造成瞬間的大浪涌電流。這些浪涌電流通常在電路開和關(guān)時(shí)較大,有時(shí)浪涌電流會(huì)是穩(wěn)態(tài)電流的數(shù)倍,甚至是十?dāng)?shù)倍。電路設(shè)計(jì)師在選用熔斷器時(shí),要考慮熔斷器承受浪涌電流的能力。
I2t的數(shù)據(jù)或圖表,可用于估算熔斷器熔斷所需的能量,和熔斷器承受浪涌電流的能力。
由于I2t不是一個(gè)常數(shù),有些廠家提供I2t相對(duì)于電流或熔斷時(shí)間的變化曲線供用戶參考。從實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)及曲線中我們可以看到,表面貼裝片式熔斷器的I2t只有在電流達(dá)到額定電流的1500%才會(huì)趨于穩(wěn)定。有些廠家提供熔斷時(shí)間為0.001秒時(shí)的I2t供用戶參考。但是我們要注意到0.001秒時(shí)的I2t與0.0005秒時(shí)的I2t是不同的。只有在浪涌電流的脈沖時(shí)間與參考的熔斷I2t的時(shí)間接近時(shí),I2t才有參考意義。如果我們將前面熔斷器能量平衡的公式對(duì)時(shí)間作一個(gè)積分,我們可以得到:
![](/editorfiles/20090204014633_1884.jpg)
只有在m, Cp,R,I及散熱速率均與溫度及時(shí)間無關(guān)時(shí),我們才可以得到I2t的常數(shù)關(guān)系,
即:
![](/editorfiles/20090204014733_2906.jpg)
或
![](/editorfiles/20090204014823_3992.jpg)
但實(shí)際上物性數(shù)據(jù)m(質(zhì)量),Cp(熱容),R(電阻)均是溫度的函數(shù),而散熱速率更因溫度的升高而升高,所以將I2t作為一個(gè)常數(shù)來考慮,只是非常粗略的一種近似。只有在熔斷時(shí)間非常短,而散熱和導(dǎo)體周邊材數(shù)的吸熱都可以忽略不計(jì)時(shí),這種近似才有意義。
一些測(cè)試的數(shù)據(jù)表明,當(dāng)過載電流達(dá)到額定電流的1500%時(shí),I2t接近于一個(gè)常數(shù)。
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下面我們通過兩個(gè)例子來說明如何根據(jù)浪涌電流的I2t來選用能夠承受該浪涌電流的熔斷器。
例1:下圖為一個(gè)用戶所提供的浪涌電流曲線:
![](/editorfiles/20090204015153_1777.jpg)
我們可以根據(jù)I和t的數(shù)據(jù)算出I2t與t的數(shù)據(jù),并將這些數(shù)據(jù)標(biāo)在I2t相對(duì)于t的熔斷器特性圖上。
![](/editorfiles/20090204015230_7889.jpg)
上圖下面兩條熔斷器的I2t曲線均在局部低于電流浪涌脈沖的I2t。這說明這兩個(gè)熔斷器的熔斷能量,均低于浪涌電流脈沖的能量。這兩個(gè)熔斷器不適用于這一電路。
第三條熔斷器的I2t曲線在電流浪涌脈沖I2t曲線之上。這一熔斷器有可能用于這一電路。我們?cè)谶@里之所以說“有可能”,是因?yàn)槲覀冞€要考慮其他使用條件。這些條件包括:
- (1)要有多大的I2t安全系數(shù)才能保證滿足由于電路元件參數(shù)的散布(包括熔斷器自身),和多次脈沖造成的熔斷器降級(jí)(derating)的要求;
- (2)由于使用溫度高于環(huán)境溫度而作的降級(jí)使用;
- (3)電流最高電壓和最大要求分?jǐn)嗄芰π枰∮谒x用的熔斷器的最高使用電壓和最大分?jǐn)嗄芰Γ?/li>
- (4)在電流出現(xiàn)短路故障時(shí),熔斷器的反應(yīng)時(shí)間是否足夠快。
在這里,我們重點(diǎn)分析第(1)點(diǎn)。實(shí)際選用的熔斷器的I^{2}t_{F}值,即相應(yīng)于電流浪涌I2tmax最大值處的熔斷器的I2t值, 應(yīng)該滿足:
![](/editorfiles/20090204015713_2339.jpg)
![](/editorfiles/20090204015900_6887.jpg)
![](/editorfiles/20090204015954_6711.jpg)
![](/editorfiles/20090204015954_6711.jpg)
![](/editorfiles/20090204020038_5262.jpg)
![](/editorfiles/20090204020038_5262.jpg)
AEM熔斷器具有良好的抗脈沖老化性能,測(cè)試數(shù)據(jù)表明,AEM熔斷器在多次脈沖后不會(huì)出現(xiàn)明顯的老化現(xiàn)象,因此我們建議客戶選用100%-200%作為100,000次使用的
![](/editorfiles/20090204020038_5262.jpg)
![](/editorfiles/20090204020038_5262.jpg)
例2:當(dāng)有一脈沖波形如下圖時(shí),可以用疊加法計(jì)算出熔化能量數(shù)值: I2t=(242x120+1/2x44.42x80)*10^-6=0.15(A2s)計(jì)算出熔化熱能后即可按照上述方法選取相應(yīng)的fuse型號(hào)。
![](/editorfiles/20090204020242_3282.jpg)