【導讀】用于電子設備電源中的小型SMD線圈稱為功率電感器。將銅線卷繞在鐵氧體鼓芯上的繞組型以及金屬一體成型型的金屬線圈是該產品主流。與積層型相比，其可使用較粗的銅線，因此可應對更大的電流。
降低功率電感器漏磁通的磁屏蔽特性
用于電子設備電源中的小型SMD線圈稱為功率電感器。將銅線卷繞在鐵氧體鼓芯上的繞組型以及金屬一體成型型的金屬線圈是該產品主流。與積層型相比，其可使用較粗的銅線，因此可應對更大的電流。
在磁性體的磁環(huán)磁芯(圈狀磁芯)上進行卷繞，并流過電流時，磁通將會在磁芯內部進行回流。這種磁路稱為閉合磁路。使用棒狀或鼓狀磁芯時，磁通將從磁芯內部流出至外部，成為漏磁通(leakage flux)，并再次回到磁芯中，形成一個環(huán)狀。這稱為開放磁路。
在電子設備中，電感器的漏磁通與其他線圈或配線圖案等發(fā)生磁耦合時，會導致電感發(fā)生變化，或形成噪音。尤其在流過大電流的功率電感器中，由于漏磁通更大，因此很多產品中均采用了各種磁屏蔽結構，以盡可能防止磁通泄漏至外部。
從磁屏蔽方面來看，功率電感器可分類為以下幾種類型。
表1 從磁屏蔽方面分類的功率電感器類型
| 無屏蔽型 | 僅僅在鼓芯上進行卷繞，幾乎沒有磁屏蔽的類型。 |
|---|---|
| 樹脂屏蔽（半屏蔽）型 | 通過混煉了鐵氧體或軟磁性金屬等磁性粉的樹脂，在所卷繞鼓芯周圍進行成型的類型。雖然磁屏蔽效果有限，但擁有能夠降低成本的優(yōu)點。 |
| 全屏蔽型 | 通過將鐵氧體屏蔽磁芯覆蓋在鼓芯周圍，形成接近閉合磁路結構的類型。但磁屏蔽并不完美，屏蔽磁芯與鼓芯結合部的氣隙以及端子部會發(fā)生漏磁通。屏蔽磁芯擁有環(huán)型、L型等各個形狀，除了漏磁通強度及分布之外，成本也會因結構而有所不同。 |
| 金屬一體成型型 | 其并非使用了鼓芯的繞組型，而是制作空心線圈，并將其埋設在與粘合劑（耦合材料）混合的軟磁性金屬粉中進行一體成型的類型。由于沒有氣隙，因此其減少漏磁通的效果優(yōu)于全屏蔽型。但其表面等會發(fā)生極少的漏磁通。 |
圖1 開放磁路結構以及閉合磁路結構的功率電感器
通過近磁場分析將功率電感器的漏磁通表現為3D圖形
在同時考慮成本、性能以及尺寸等時，選擇哪種類型的功率電感器成為困擾設計者們的問題。TDK通過使用近磁場測量系統(tǒng)測量功率電感器的漏磁通，并將其可視化，幫助客戶選擇最為適合的功率電感器。
圖2所示為該系統(tǒng)的基本結構。
使用帶微小環(huán)狀天線的磁場探針，以半個功率電感器高度掃描貼裝在DC-DC轉換器評估板上的功率電感，測量功率電感器周邊磁場強度。得到的時間波形數據通過光譜分析儀轉換為光譜波形，并將其轉換為3D圖形顯示在屏幕上。
圖2 功率電感器周邊近磁場的測量及可視化系統(tǒng)的結構
漏磁通極少的金屬一體成型SPM系列
將TDK功率電感器的代表產品VLS-EX系列、CLF-NI系列、SPM系列的漏磁通可視化的3D圖形如圖3所示。
圖3 3款TDK功率電感器產品的近磁場3D圖形
VLS-EX系列為樹脂屏蔽(半屏蔽)，CLF-NI系列為全屏蔽，SPM系列為金屬一體成型的功率電感器。測量使用的尺寸基本相同。
水平磁場擁有方向性，環(huán)狀天線面與磁通垂直相交時，環(huán)狀天線的電動勢為最大。因此，對于水平磁場，將探針旋轉至四個方向（每45°），測量最大電壓。
越接近紅色磁場強度越大，越接近藍色則越小。在水平方向以及垂直方向，CLF-NI產品比VLS-EX產品的磁場強度小，漏磁通更少，而SPM產品則比CLF-NI產品的磁場強度小，漏磁通更少。
功率電感器漏磁通對策重點
即使是閉合磁路結構的磁屏蔽型，也不可能不產生漏磁通。漏磁通取決于線圈的結構。同時，在縱向卷繞線圈中，由于極性也會有所影響，因此在于信號相互增強的方向以及相互減弱的方向中，漏磁通的影響也各不相同。無論是無屏蔽型、半屏蔽型還是全屏蔽型的功率電感器，都需要注意周圍信號線的配線。
若仔細設計之后仍然未能降低來自功率電感器漏磁通的影響時，請嘗試以下對策。
●嘗試改變線圈極性
●嘗試改變配線圖形
●嘗試更換為屏蔽效果更好的產品
●嘗試更換為更為小型的產品(可降低漏磁通的影響)
TDK的金屬一體成型型SPM系列功率電感器的漏磁通較少，適合必須配置在信號線附近，或因使用了樹脂外殼導致從箱體中發(fā)出噪音時使用。同時，與全屏蔽型相比，由于一體成型結構沒有磁芯組合，因此還可有效降低拍音。
使用了鐵氧體磁芯的功率電感器的特點在于，電感的種類更多，可應對較高的電感值。其量產性優(yōu)異，多用于各類設備中。
各類型功率電感器擁有各自的特長與優(yōu)點。請區(qū)分使用，使其各得其所，從而為產品制造提供支持。
（來源：TDK Product Center）
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