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解析SOI高溫壓力傳感器工作原理與制備工藝

發(fā)布時間:2018-05-21 責任編輯:lina

【導讀】近年來,我國的傳感器技術正飛速發(fā)展,應用領域也在不斷擴大。作為現(xiàn)代測量技術中發(fā)展最為成熟的一類,壓力傳感器領域也在不斷涌現(xiàn)新技術、新材料和新工藝。
 
 
壓力傳感器是一種用來檢測壓力信號,將壓力信號按一定規(guī)律轉(zhuǎn)化為電信號的器件,廣泛應用于各類生產(chǎn)、工業(yè)及航空航天領域。隨著應用領域的細分,高溫油井、各類發(fā)動機腔體等高溫惡劣環(huán)境下的壓力測量愈發(fā)重要,而普通壓力傳感器所用材料在超過一定溫度(例如,擴散硅壓力傳感器工作溫度低于120℃)時會失效,導致壓力測量失敗。因此,高溫壓力傳感器成為一個非常重要的研究方向。
 
高溫壓力傳感器的分類
 
根據(jù)所用材料的不同,高溫壓力傳感器可以分為多晶硅(Poly-Si)高溫壓力傳感器、SiC高溫壓力傳感器、SOI(silicon on insulator)高溫壓力傳感器、SOS(silicon on sapphire)硅-藍寶石壓力傳感器、光纖高溫壓力傳感器等不同類型。而從目前發(fā)展情況來看,SOI高溫壓力傳感器的研究現(xiàn)狀及前景都非常理想。下面主要介紹SOI高溫壓力傳感器。
 
SOI高溫壓力傳感器
 
SOI高溫壓力傳感器的發(fā)展主要依托SOI材料的興起。SOI即絕緣體上硅,主要指以SiO2為絕緣層預埋在Si襯底層和Si頂層器件層中間形成的半導體材料。SOI的特殊結(jié)構使得器件層與襯底層之間實現(xiàn)了絕緣,消除了體硅中常見的門閂效應,提高了器件的可靠性。另外,由于SOI器件層的高溫特性使得其成為制備高溫壓力傳感器的理想材料。
 
目前,國外已有研制成功的SOI高溫壓力傳感器,包括美國Kulite的XTEH-10LAC-190(M)系列,如圖1所示,工作溫度為-55~480℃;美國古德里奇先進傳感器技術中心研制的-55~500℃的SOI高溫壓力傳感器;法國LETI研究所研制的SOI高溫壓力傳感器工作溫度也超過400℃。國內(nèi)研究機構也在積極開展SOI高溫壓力傳感器的研究,例如西安交通大學、天津大學、北大等。另外,西人馬FATRI未來先進技術研究院也在開展相關研究工作,目前項目已進入論證階段。
 
 
圖1 Kulite高溫壓力傳感器
 
SOI高溫壓力傳感器工作原理
 
從原理上講,SOI高溫壓力傳感器主要利用的是單晶硅的壓阻效應。當力作用于硅晶體上,晶體的晶格發(fā)生形變,進而導致載流子的遷移率發(fā)生變化,使得硅晶體的電阻率發(fā)生變化。通過在SOI頂層器件層的特定方向刻蝕出4個壓敏電阻,構成惠斯通電橋如圖2(a)所示;在SOI的襯底層刻蝕出壓力背腔,進而形成壓力敏感結(jié)構,如圖2(b)所示。
 
圖2(a)惠斯通電橋 
 
 
圖2 (b)傳感器芯片截面
 
當壓力敏感結(jié)構受到氣壓壓力時,壓敏電阻的阻值發(fā)生變化,進而引起輸出電壓Vout發(fā)生變化,通過輸出電壓值與壓敏電阻的阻值變化的關系,實現(xiàn)壓力值的測量。
 
SOI高溫壓力傳感器制備工藝
 
SOI高溫壓力傳感器的制備工藝涉及多道MEMS工藝,此處簡單介紹一些關鍵步驟以供了解傳感器的工藝過程,如圖3所示,主要包括壓敏電阻制備、金屬引線制備、壓力敏感膜制備以及壓力腔封裝等工藝。
 
 
圖3 SOI壓力傳感器工藝
 
壓敏電阻的制備關鍵在于摻雜濃度的把控及后續(xù)刻蝕成型工藝的優(yōu)化;金屬引線層則主要起到惠斯通電橋的聯(lián)通;壓力敏感膜的制備主要依托深硅刻蝕工藝;壓力腔的封裝通常會因壓力傳感器的用途不同而有所變化,本文給出的兩種可能的封裝形式如圖3所示。
 
由于目前商業(yè)化的高溫壓力傳感器還無法很好的滿足高溫油井、航空發(fā)動機等特殊惡劣環(huán)境對壓力測量的需求,未來高溫壓力傳感器的研究已成必然。SOI材料因其特殊結(jié)構及高溫特性,已經(jīng)成為高溫壓力傳感器的理想材料,未來對于SOI高溫壓力傳感器的研究應該集中在解決高溫惡劣環(huán)境下傳感器的長期穩(wěn)定性、自發(fā)熱問題及提高壓力傳感器精度等方面。
 
當然,智能化時代的到來也要求SOI高溫壓力傳感器結(jié)合其他多學科技術,為傳感器帶來自補償、自校準、信息存儲等更為智能化的功能,從而更好的完成感知復雜高溫環(huán)境壓力的使命。
 

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