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聚焦高速USB3.0存儲端設計

發(fā)布時間:2011-11-24

中心議題:

  • 高速USB3.0存儲端設計三大注意點

解決方案:

  • 保持高速信號的完整性
  • 電源及導熱管理
  • 整體BOM成本


USB接口原本就是目前世界上應用最廣泛的接口,以及人們對于10倍速傳輸速率的需求,造就了近一年來備受矚目的焦點技術之一“超高速USB 3.0”。

在高清畫質與藍光的普及下,USB 3.0大幅減少了檔案傳輸?shù)牡却龝r間。USB 3.0具有向下兼容與超高速兩大優(yōu)勢,在系統(tǒng)商與芯片廠商的合作下,我們相信該技術一定會迅速普及。正是由于USB 3.0改變了對傳統(tǒng)USB速度較慢的看法,現(xiàn)小編大家分享關于USB 3.0存儲端設計應注意的事項。

首先,以目前市場上效能最高的產品ASM1051E為例,主要對外的兩個接口分別為USB 3.0端與SATA 6G端,根據目前客戶端量產狀況,成功設計USB 3.0模塊主要有三個要點。

保持高速信號的完整性

信號的質量關系到數(shù)據的傳輸是否完整或U盤的可靠性。根據信號完整性制定出電路板的設計規(guī)范及組件的擺放位置,差動傳輸線阻抗控制,減少阻抗在電路板上所造成的不連續(xù),而引起的信號多重反射及損失,干擾控制與抑制等,確保符合USBIF兼容測量結果。

USB 3.0設計建議如下:

差動特征阻抗為85Ω。印刷電路板的貫孔不能多于二個,以減少信號的衰減。一個信號的貫孔約增加1dB的損失。差動信號長度不超過1.5英寸,預防主控端印刷電路板可能導致的信號損失及USB 3.0連接器與電纜的良莠不齊,以達到最佳的效能。差動信號之間的間距最好多加地信號,以減少信號之間的干擾,如信號旁邊為頻率信號或是切換式電源信號,即再加大3~4倍的間距。在信號交流耦合電容選用0402大小封裝及NPO或是X7R材質,且擺放至接近連接器的位置。如有ESD及EMI組件的選用及擺放,則將組件位置也放在接近連接器的位置,建議的順序為“連接器、ESD、EMI、交流耦合電容、ASM1051E”,注意ESD及EMI的零件選用都要能夠符合要求,差動特征阻抗及信號損失非常低。
 


圖1:USB 3.0的眼圖


SATA 6G設計建議如下:除了差動特征阻抗為90Ω及長度要求可放寬至2.5英寸之外,其它則與USB 3.0上的建議是相同的。
 


圖2:ASTA 6G的眼圖

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電源及導熱管理

在新的USB 3.0系統(tǒng)設計上,由于高速傳輸?shù)年P系,其瞬間耗電量較USB 2.0更大,如何能平均傳導熱能,除了需慎重選擇芯片廠商外,在模塊的設計上也有其需要加強之處。

設計建議如下

最好使用線性穩(wěn)壓器(LDO),以減少切換式電源噪聲干擾及EMI問題,但相對會有轉換效率較差的問題及散熱需要考慮;電源穩(wěn)壓電容請參照廠商的設計建議,芯片旁的穩(wěn)壓電容只需要選用0402大小封裝的0.1μF;ASM1051E已內置一組線性穩(wěn)壓器,采用QFN封裝,熱阻較小,有利于散熱,印刷電路板上散熱貫孔的安排,零件層上銅箔裸露均利于將熱傳導至印刷電路板上;注意設計應在不影響量產組裝的前提下實行。

整體BOM成本

設計建議如下:

使用線性穩(wěn)壓器;二層印刷電路板即可達到預定的效能;使用普通SATA 1.5G/3Gbps的連接器即能實現(xiàn)6Gbps的效能;單面打件。

除了芯片及USB 3.0標準連接器之外,所有零件包括二層的PCB板都與USB 2.0時相同。

由于USB 3.0比USB 2.0速度高出數(shù)倍的產品,在固件、主控端芯片、線纜、接口等方面都有可能因為信號的微小差異而導致不兼容的結果。其系統(tǒng)設計思維也與2.0大不相同,如何兼顧信號質量與成本將會是研發(fā)人員的一大考驗。希望大家能由本文中獲得一些設計的新思維,早日推出USB 3.0產品。

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