F-RAM存儲(chǔ)器的產(chǎn)品特性：

• 對(duì)稱性的讀/寫范圍和讀/寫速率
• 無限次的讀寫耐用性與超低功耗
• 具有抗伽馬輻射的特性

F-RAM存儲(chǔ)器的應(yīng)用范圍：

• 電子收費(fèi)系統(tǒng)

目前市場(chǎng)上的存儲(chǔ)器種類非常多，主要有易失性的RAM和DRAM、非易失性的EEPROM、ROM、EPROM、NOR、NAND閃存、鐵電存儲(chǔ)器等。世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲(chǔ)器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron的MaxArias™系列無線存儲(chǔ)器將非易失性F-RAM存儲(chǔ)器技術(shù)的低功耗、高速度和高耐久性等特性與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)無線存取功能相結(jié)合，使創(chuàng)新型的數(shù)據(jù)采集能力應(yīng)用更廣泛的領(lǐng)域。

MaxArias無線存儲(chǔ)器是高價(jià)值資產(chǎn)跟蹤、制造和維護(hù)歷史數(shù)據(jù)記錄收集，能夠?qū)崿F(xiàn)高容量和數(shù)據(jù)豐富的資產(chǎn)與信息追蹤系統(tǒng)，用于智能電表、航天/工業(yè)制造、庫(kù)存控制、維護(hù)歷史追蹤、藥物和醫(yī)療設(shè)備跟蹤、建筑安全，以及產(chǎn)品認(rèn)證等應(yīng)用。

Ramtron亞太區(qū)副總裁劉勝?gòu)?qiáng)先生指出，與EEPROM相比，F(xiàn)-RAM存儲(chǔ)器具有對(duì)稱性的讀/寫范圍和讀/寫速率；更能達(dá)到無限次的讀寫耐用性與超低功耗，,其耐寫性是EEPROM的一億倍，寫功耗是EEPROM的三千分之一；F-RAM存儲(chǔ)器還具有抗伽馬輻射的特性；極高的可靠性。這些獨(dú)特賣點(diǎn)是其他任何非易失性存儲(chǔ)器所無法企及的。

在應(yīng)用中，F(xiàn)-RAM的等能量、等距離讀寫有何特別優(yōu)勢(shì)？舉例說明，在電子道路收費(fèi)中，傳統(tǒng)的汽車RFID標(biāo)簽采用的是EEPROM，它的寫入速度比較慢，寫入距離也比較近，必須采用更高頻率的信號(hào)以延長(zhǎng)信號(hào)輻射距離，從而為讀寫數(shù)據(jù)贏得時(shí)間，而且對(duì)車速也有一定限制，這對(duì)于車輛密集的擁堵路段來說是難以接受的。如果汽車RFID標(biāo)簽采用F- RAM，很多設(shè)計(jì)變成被動(dòng)式的，不需要電池，可以長(zhǎng)距離對(duì)F-RAM做讀寫，當(dāng)汽車自動(dòng)收費(fèi)站以標(biāo)準(zhǔn)的860M-960MHz數(shù)據(jù)采集頻率，由于F-RAM將寫入距離從5m延長(zhǎng)到15m，同時(shí)具有非常快寫入速率，從而可以大幅節(jié)省自動(dòng)收費(fèi)系統(tǒng)的部署成本和通關(guān)時(shí)間，此外，F(xiàn)-RAM寫入電壓只需1.6V，EEPROM的寫入電壓高達(dá)13V，所以采用EEPROM的存儲(chǔ)器的應(yīng)答器還需要額外的電池供電，而F-RAM不需要，因此可以節(jié)省許多功耗。因此，在整個(gè)電子道路收費(fèi)系統(tǒng)上是一場(chǎng)新的革命，成本降低非常多，不單單是電池，包括之后的電池反修、更換等等……

在交談過程中，劉勝?gòu)?qiáng)先生透露，Ramtron的鐵電存儲(chǔ)器是采用其自身專利的鉛鋯鈦(PZT) 材料形成存儲(chǔ)器結(jié)晶體，正是這種獨(dú)特的結(jié)構(gòu)，使鐵電存儲(chǔ)器在掉電后仍能夠繼續(xù)保存數(shù)據(jù)，寫入速度快且具有無限次寫入壽命，不容易寫壞。雖然現(xiàn)在MaxArias的應(yīng)用是初期階段，但是有很多公司已進(jìn)入實(shí)測(cè)階段，預(yù)計(jì)在兩年時(shí)間會(huì)形成一個(gè)成熟的市場(chǎng)。Ramtron未來的產(chǎn)品方向是大容量，屆時(shí)還會(huì)將加密芯片加進(jìn)去，同時(shí)也會(huì)把其他一些類似周邊測(cè)體溫、測(cè)水壓也做進(jìn)去。

最后，劉勝?gòu)?qiáng)先生表示，中國(guó)市場(chǎng)對(duì)于Ramtron是一個(gè)十分重要的市場(chǎng)，在RFID產(chǎn)業(yè)提供對(duì)稱的讀寫距離、對(duì)稱的讀寫速度、對(duì)稱的讀寫能量獨(dú)特的F-RAM技術(shù)，目前為止，沒有任何一家半導(dǎo)體廠家可以提供這種技術(shù)。