產(chǎn)品特性：

• 3.3mmx3.3mm占位面積
• 導(dǎo)通電阻是最低的
• 減小電壓降

應(yīng)用范圍：

• 筆記本電腦、上網(wǎng)本
• 工業(yè)/通用系統(tǒng)中的適配器、負(fù)載和電池開關(guān)

賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 5 月 5 日 — 日前，Vishay 宣布，推出首款采用PowerPAK® 1212-8封裝的30V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si7625DN。在這種電壓等級(jí)和3.3mmx3.3mm占位面積的P溝道MOSFET中，該器件的導(dǎo)通電阻是最低的。

新款Si7625DN可用于筆記本電腦、上網(wǎng)本和工業(yè)/通用系統(tǒng)中的適配器、負(fù)載和電池開關(guān)。適配器開關(guān)(在適配器、墻上電源和電池電源之間切換)通常是開啟并且吸收電流。Si7625DN更低的導(dǎo)通電阻意味著更低的功率損耗，節(jié)省能源，延長(zhǎng)兩次充電之間的電池壽命，同時(shí)還可以減少發(fā)熱，減小PCB焊盤的面積。對(duì)于工業(yè)/通用系統(tǒng)中的電壓達(dá)24V的負(fù)載切換和熱插拔應(yīng)用，該MOSFET的低導(dǎo)通電阻還可以減小電壓降。

Si7625DN在10V和4.5V下的導(dǎo)通電阻低至7mΩ和11mΩ，這些數(shù)值比此前3.3mmx3.3mm占位面積的30V器件在10和4.5V下的導(dǎo)通電阻分別低30%和39%。

新款MOSFET采用了Vishay此前發(fā)布的30V P溝道第三代TrenchFET Si7145DP所采用的PowerPAK SO-8封裝。為滿足工業(yè)應(yīng)用的要求，第三代TrenchFET封裝讓設(shè)計(jì)者可在具有最大漏電流和功率耗散的PowerPAK SO-8(分別比SO-8高85%和79%)或節(jié)省空間的PowerPAK 1212-8之間進(jìn)行選擇。由于占位只有3.3mmx3.3mm，該器件的占位面積只有PowerPAK SO-8或SO-8型封裝的1/3。

MOSFET進(jìn)行了完備的Rg和UIS測(cè)試，符合ROHS指令2002/95/EC，符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)范。

新款Si7625DN TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，將于2010年第二季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十六周。