【導(dǎo)讀】可控硅整流器的導(dǎo)通電壓一般由其器件參數(shù)決定,具體的可控硅導(dǎo)通電壓取決于其型號、制造商以及應(yīng)用需求。因此,在具體的應(yīng)用中,應(yīng)該根據(jù)實際情況選擇相應(yīng)的可控硅型號和規(guī)格,以滿足電路要求。
可控硅整流器的導(dǎo)通電壓一般由其器件參數(shù)決定,具體的可控硅導(dǎo)通電壓取決于其型號、制造商以及應(yīng)用需求。因此,在具體的應(yīng)用中,應(yīng)該根據(jù)實際情況選擇相應(yīng)的可控硅型號和規(guī)格,以滿足電路要求。
以下是一些常見的導(dǎo)通電壓范圍:
1. 低壓可控硅(Low Voltage Thyristor):一般導(dǎo)通電壓范圍為1V至40V。
2. 中壓可控硅(Medium Voltage Thyristor):一般導(dǎo)通電壓范圍為40V至1000V。
3. 高壓可控硅(High Voltage Thyristor):一般導(dǎo)通電壓范圍為1000V以上,最高可達幾千伏特。
晶閘管操作
SCR-符號
SCR 在正向偏置時開始導(dǎo)通。為此目的,陰極保持在負電壓,陽極保持在正電壓。當(dāng)正向偏置電壓施加到 SCR 時,結(jié) J1 和 J3 變?yōu)檎蚱茫Y(jié) J2 變?yōu)榉聪蚱?。?dāng)在柵極上施加正電壓時,結(jié) J2 變?yōu)檎蚱貌⑶?SCR 開啟。
在操作中,晶閘管可被視為背靠背連接的 NPN 和 PNP 晶體管,在器件內(nèi)形成正反饋回路。發(fā)射極連接晶閘管陰極的晶體管是NPN器件,而發(fā)射極連接晶閘管陽極的晶體管是PNP器件。柵極連接到 NPN 晶體管的基極。一個晶體管的輸出被饋送到第二個晶體管的輸入,第二個晶體管的輸出又被反饋到第一個晶體管的輸入。這意味著當(dāng)電流開始流動時,它會迅速增加,直到兩個晶體管都完全導(dǎo)通或飽和。
可控硅整流器常見故障及處理
可控硅整流器常見的故障包括:
1. 可控硅損壞:可控硅在工作過程中可能會受到過電流、過電壓、過溫等因素的影響而受損??煽毓钃p壞后可能無法導(dǎo)通或失去控制,導(dǎo)致整流器無法正常工作。
2. 觸發(fā)電路故障:觸發(fā)電路是用于觸發(fā)可控硅導(dǎo)通的關(guān)鍵部分。觸發(fā)電路故障可能導(dǎo)致可控硅無法正常觸發(fā),使整流器無法工作或無法實現(xiàn)預(yù)期的控制。
3. 整流器過熱:整流器在長時間高負載工作或散熱不良的情況下可能會過熱。過熱可能導(dǎo)致可控硅損壞或觸發(fā)電路故障,影響整流器的正常運行。
4. 過電流保護觸發(fā):當(dāng)可控硅所能承受的電流超過額定值時,過電流保護回路會觸發(fā)并切斷電源。此時整流器可能無法正常工作,需要排除過電流原因并修復(fù)相關(guān)問題。
處理可控硅整流器故障的方法包括:
1. 檢查可控硅:檢查可控硅是否損壞,可使用測試儀器進行測試并替換損壞的器件。
2. 檢查觸發(fā)電路:檢查觸發(fā)電路的連接和元件是否正常。修復(fù)或替換故障的元件。
3. 改善散熱條件:檢查整流器的散熱系統(tǒng),確保散熱良好,可以通過增加散熱器或風(fēng)扇等方式改善散熱條件。
4. 排查過電流問題:檢查整流器輸入電流是否超過額定值,查找引起過電流的原因并修復(fù)。
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