我們來看看圖9，圖中所示為0.275 A或約3.3 W時(shí)3.3 V至12 V輸出的開環(huán)升壓設(shè)計(jì)。此時(shí)，平均電感電流是多少？

 

在圖10中，輸出電流是291 mA, I(R2)的直流軌跡——接近計(jì)算值。盡管仿真的負(fù)載電流為291 mA，仿真顯示電感電流的平均值為945 mA，峰值超過1 A。這是輸出電流的3.6倍多。在TON期間（M2接通的時(shí)間，且L2上有V3電壓），電感從最小值充電到最大值。在TON期間，D2斷開，負(fù)載電流由輸出電容提供。

 

在TON期間，電感與MOSFET串聯(lián)，因此流過輸入電感的任何電流都會(huì)流過開關(guān)。正因?yàn)槿绱?，?shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)定了可流過開關(guān)的最大電流ISW。為新設(shè)計(jì)選擇升壓IC時(shí)，應(yīng)該了解通過開關(guān)的最大預(yù)期電流。

 

例如，為以下應(yīng)用選擇升壓調(diào)節(jié)器：

 

●    VIN = 12 V

●    VOUT = 48 V

●    IOUT = 0.15 A

 

為選擇正確的升壓調(diào)節(jié)器，需要找到平均輸入電流，這是在TON期間流過電感和MOSFET的電流。要找到此電流，可根據(jù)輸出功率和效率從輸出反向推導(dǎo)到輸入：

 

●    POUT = VOUT × IOUT = 48 V × 0.15 A = 7.2 W

●    假設(shè)效率為0.85（如果有輸入和輸出參數(shù)與期望設(shè)計(jì)相似的效率曲線，則使用數(shù)據(jù)手冊(cè)中的值）。

●    PIN = POUT/效率 = 7.2 W/0.85 = 8.47 W

●    IIN_AV = 平均輸入電流。這是在導(dǎo)通時(shí)間內(nèi)在電感和開關(guān)中流動(dòng)的平均電流，通過PIN/VIN = 8.47 W/12 V = 0.7 A計(jì)算得出。

●    同樣，IIN是平均電感電流，最大峰值電流將比IIN高1.15至1.20，從而提供30%至40%的紋波電流。因此，IPEAK = IIN × 1.2 = 0.7 A × 1.2 = 0.847 A。

 

圖9.升壓拓?fù)洌?.3 V至12 V，約3.3 W

 

圖10.0.275 A時(shí)3.3 V至12 V的開環(huán)升壓的LTspice仿真結(jié)果

 

圖11.TON期間的原理圖：M2接通，V3與L2并聯(lián)，D2斷開

 

VSW，晶體管最大允許電壓和占空比限制

 

數(shù)據(jù)手冊(cè)中通常會(huì)規(guī)定IC的VIN范圍——建議范圍和絕對(duì)最大值。在數(shù)據(jù)手冊(cè)中，帶有內(nèi)部電源開關(guān)的升壓調(diào)節(jié)器可能產(chǎn)生的最高輸出電壓表示為其最大VSW額定值。如果您使用以外部MOSFET作為電源開關(guān)的升壓控制器，MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)定的VDS額定值就是限制最大輸出電壓的值。

 

例如，LT8330升壓調(diào)節(jié)器的輸入電壓范圍為3 V至40 V，絕對(duì)最大開關(guān)電壓為60 V，固定開關(guān)頻率為2 MHz。盡管60 V絕對(duì)最大開關(guān)電壓額定值使該部件能產(chǎn)生60 V升壓輸出，但最佳做法是保持低于此值至少2 V。

 

輸出電壓也受占空比的限制。最大和最小占空比或許可在數(shù)據(jù)手冊(cè)中找到，也可以計(jì)算得出。通過使用LT8330從12 V轉(zhuǎn)換為48 V，CCM忽略二極管壓降獲得高轉(zhuǎn)換比，可從輸入和輸出電壓計(jì)算出占空比：

 

●    D = (VO – VIN)/VO = (48 V – 12 V)/48 V = 0.75或75%

●    檢查IC是否能在所需占空比下工作。

●    IC最小占空比計(jì)算公式如下：

   ○ DMIN = 最小TON(MAX) × fSW(MAX)

●    IC最大占空比計(jì)算公式如下：

   ○ DMAX = 1 –（最小TOFF(MAX) × fSW(MAX)）

 

最小TON和最小TOFF可在數(shù)據(jù)手冊(cè)的電氣特性表中找到?？墒褂迷摫碇?ldquo;最小值”、“類型”和“最大值”欄中的最大值。使用LT8330的公布值和DMIN和DMAX等式，即可得出DMIN = 0.225，DMAX = 0.86。從結(jié)果可以看到，LT8330應(yīng)能夠從12 V轉(zhuǎn)換為48 V，因?yàn)樵O(shè)計(jì)要求占空比為0.75。

 

使用LTspice了解外設(shè)應(yīng)力

 

圖12中所示的原理圖實(shí)現(xiàn)了之前介紹的設(shè)計(jì)概念，在支持150 mA負(fù)載的12 V輸入到48 V輸出轉(zhuǎn)換器中采用LT8330。 

 

 

圖12.12 V至48 V轉(zhuǎn)換器中用于150 mA負(fù)載電流的LT8330

 

從LTspice仿真，我們可以繪制并測(cè)量多種參數(shù)?？蓭椭x擇IC的參數(shù)，如圖13所示。

 

VSW和占空比

 

運(yùn)行仿真后，您可以將SW節(jié)點(diǎn)行為視為一個(gè)波形，了解開關(guān)期間電源開關(guān)上存在什么電壓。為此，請(qǐng)將鼠標(biāo)懸停在SW節(jié)點(diǎn)上，使十字光標(biāo)變成一個(gè)紅色電壓探針。點(diǎn)擊即可在波形查看器上繪制開關(guān)節(jié)點(diǎn)行為。所得圖形對(duì)應(yīng)于內(nèi)部功率MOSFET的漏極。

 

正如預(yù)期那樣，當(dāng)MOSFET接通時(shí)，電壓電勢(shì)接近地，但更重要的是，在TOFF期間，MOSFET斷開，漏極電壓受輸出電壓和二極管壓降的影響?，F(xiàn)在我們知道了MOSFET的VDS上的應(yīng)力是多少。如果我們選擇了使用外部MOSFET作為電源開關(guān)的控制器設(shè)計(jì)，則所選MOSFET的VDS額定值應(yīng)為60 V。

 

在LTspice波形查看器中，可使用光標(biāo)進(jìn)行水平和垂直測(cè)量，類似于示波器上的光標(biāo)。要調(diào)用光標(biāo)，請(qǐng)點(diǎn)擊LTspice波形查看器中的V(sw)標(biāo)簽。這會(huì)將第一個(gè)光標(biāo)附加到軌跡上，再次點(diǎn)擊可將第二個(gè)光標(biāo)附加到同一軌跡上?；蛘?，右擊此標(biāo)簽，然后選擇給定探測(cè)軌跡所需的光標(biāo)。使用這些光標(biāo)可測(cè)量TON，并通過TON除以周期計(jì)算得出占空比。

 

TPERIOD = TON + TOFF = 1/fSW。之前，我們計(jì)算此值為75%或0.75。使用LTspice，得出的值約為373 ns。LT8330使用2 MHz的固定開關(guān)頻率，因此TP = 1/2e6 = 500 ns，占空比為373 ns/500 ns = 0.746。

 

圖13.LTspice中圖形查看器上的開關(guān)節(jié)點(diǎn)圖

 

圖14.測(cè)量TON以確認(rèn)估算的占空比

 

電感上的峰值電流和電壓

 

要為升壓應(yīng)用選擇電感，需要了解電感是否能處理所要應(yīng)對(duì)的電流和電壓——即峰值電感電流以及TON和TOFF電壓。這個(gè)也可以在LTspice中使用差分探針估算出。要對(duì)電感進(jìn)行差分探測(cè)，請(qǐng)將鼠標(biāo)懸停在IN節(jié)點(diǎn)上，這時(shí)十字光標(biāo)將變成一個(gè)紅色探針。點(diǎn)擊并拖動(dòng)鼠標(biāo)至SW節(jié)點(diǎn)。光標(biāo)顏色會(huì)變?yōu)楹谏?。停在第二個(gè)節(jié)點(diǎn)上時(shí)松開鼠標(biāo)。

 

在圖15中，在電感上對(duì)節(jié)點(diǎn)IN和SW之間的電壓進(jìn)行差分探測(cè)。在TON期間，MOSFET接通，電感右側(cè)接地，而左側(cè)在VIN處，使得電感上的電壓在TON期間為12 V。在TOFF期間，MOSFET斷開，電感的右側(cè)置于48 V，而左側(cè)在TON期間在VIN處。由于差分探針從VIN中減去VSW，得到–36 V，但符號(hào)現(xiàn)在無關(guān)緊要。重要的是電感在12 V和36 V之間變化。 

 

在TON期間，電感上的電壓吸取正di/dt，即藍(lán)色I(xiàn)(L1)圖的斜率。此軌跡的最大點(diǎn)是IPEAK，計(jì)算得出0.847 A。通過使用LTspice，可以看到峰值電流約為866 mA。

 

要正確選擇具有足夠額定電流(IR)和飽和電流(ISAT)的電感，一定要了解這個(gè)峰值電流。IR更多的是關(guān)于在規(guī)定電流下產(chǎn)生多少熱，而ISAT適用于調(diào)用短路保護(hù)的事件。如果使用帶內(nèi)部MOSFET的調(diào)節(jié)器，（ISAT > 調(diào)節(jié)器限流值），并且控制器與外部MOSFET配合使用，則在觸發(fā)限流值時(shí)，（ISAT > 峰值電感值）。

 

務(wù)必注意，此處所述升壓拓?fù)涞碾姼谢蚨O管沒有限流值。如果開關(guān)未使用，或者IC斷開，則輸入和輸出之間有直接路徑。有些IC提供額外保護(hù)功能，如關(guān)斷時(shí)輸出斷開、浪涌電流限制，以及解決此直接輸入到輸出連接問題的其他功能——例如，LTC3122和LTC3539。

 

為了提高效率，應(yīng)使用具有低DCR（直流電阻）和低磁芯損耗的電感。電感數(shù)據(jù)手冊(cè)中標(biāo)明了特定溫度下的DCR——它隨溫度上升，并具有容差。通過PINDUCTOR_LOSS = IIN_AV² × DCR，可輕松計(jì)算出直流損耗，而交流損耗和磁芯損耗可在制造商的仿真或其他文檔中找到。LTspice可對(duì)功率求積分來計(jì)算出相關(guān)的功耗。為L(zhǎng)Tspice提供電感記錄的DCR和其他已知寄生參數(shù)可提高LTspice仿真精度。

 

圖15.穩(wěn)定狀態(tài)下通過電感的電壓和電流

 

圖16.測(cè)量電感峰值電流

 

通過二極管的電流和電壓

 

圖17顯示了二極管VSW,OUT上的仿真差分電壓、二極管正向電流I(D1)和電感電流I(L1)。當(dāng)開關(guān)接通（TON期間）時(shí)，陽極接近地，陰極在輸出電壓處，因此二極管將反向偏置，暴露在其最大電壓（即VOUT）下。第一項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)是，選擇VRRM（最大峰值重復(fù)反向電壓）高于VOUT的二極管。

 

電感的峰值電流在MOSFET關(guān)斷后、TOFF期間開始時(shí)流過二極管，因此二極管峰值電流與電感峰值電流相同。二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)中包括一個(gè)稱為IFRM（重復(fù)峰值正向電流）的參數(shù)，以時(shí)長(zhǎng)和占空比指定。此參數(shù)通常比二極管能夠提供的平均電流要高。

 

仿真完成后，LTspice可對(duì)波形查看器中所有波形求積分來得出rms和平均值，并使用同樣的計(jì)算方式，計(jì)算二極管將處理的平均電流。首先，放大您想求積分的波形部分——通過縮放可有效設(shè)置積分邊界。在本例中，您可以縮放以涵蓋大量穩(wěn)定狀態(tài)周期（不是啟動(dòng)或關(guān)斷）。要設(shè)置積分邊界，請(qǐng)拖動(dòng)選擇一個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)的時(shí)間段并將鼠標(biāo)懸停在圖形名稱上。例如，圖18中所示的積分結(jié)果涵蓋0.75 ms，或超過1000個(gè)周期。光標(biāo)會(huì)變成一個(gè)手形圖標(biāo)。按CTRL鍵并點(diǎn)擊以調(diào)用波形查看器的積分窗口。

 

圖18中所示的積分對(duì)話框顯示通過二極管的平均電流為150 mA。此值應(yīng)小于最大平均正向電流IF(AV)，該電流是二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)中在特定溫度下規(guī)定的規(guī)格值。

 

二極管功耗

 

二極管的功耗也可通過仿真計(jì)算。二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)中指定了25°C下的總功耗PTOT（總功率）和結(jié)點(diǎn)至環(huán)境的熱阻RTH。在LTspice中，將光標(biāo)懸停在二極管上，波形查看器上便可顯示功耗。將光標(biāo)懸停在分立式組件或電壓源上時(shí)，光標(biāo)將變成電流探針。按ALT鍵可將光標(biāo)變?yōu)闇囟扔?jì)，點(diǎn)擊可顯示二極管的仿真功耗。放大穩(wěn)態(tài)操作，使用與前面所述的求二極管電流積分相同的程序求波形的積分。二極管功率容量包含二極管上的電壓和流過的電流。

 

圖17.二極管電壓和電流以及電感中的電流

 

圖18.對(duì)穩(wěn)定狀態(tài)下的二極管電流求積分可得到IF(AV)和I(RMS)值

 

圖19.對(duì)二極管功耗求積分可得到平均功耗

 

圖20.二極管放電時(shí)產(chǎn)生反向恢復(fù)尖峰。該值越低，功耗越低。此電容隨電壓而變化。

(a) 二極管反向恢復(fù)電流尖峰。(b) 放大二極管反向恢復(fù)電流尖峰。

 

二極管的一些電容在其導(dǎo)通期間充電。當(dāng)二極管不再導(dǎo)通時(shí)，必須放掉累積的電荷。這種阻尼電荷移動(dòng)會(huì)導(dǎo)致功率損耗，因此建議選擇低電容值。此電容值隨二極管的反向電壓而變化，二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)中應(yīng)包括顯示此效應(yīng)的圖形。此內(nèi)部電容在二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)中通常顯示為Cd，在LTspice數(shù)據(jù)庫中顯示為Cjo。

 

使用低電容二極管放松了對(duì)最大反向恢復(fù)電流的要求，從而提高了效率。圖20顯示了關(guān)于恢復(fù)電流有關(guān)的內(nèi)容。反向恢復(fù)中固有的功耗留給讀者做練習(xí)。

 

結(jié)論

 

選擇升壓IC時(shí)，應(yīng)從輸出開始。從所需的輸出電壓和負(fù)載電流反向推導(dǎo)以找到輸入功率，并將效率考慮在內(nèi)。由此，確定平均和峰值輸入電流值。在升壓轉(zhuǎn)換器中，電感中流動(dòng)的平均電流高于負(fù)載電流，使得IC選擇過程與降壓轉(zhuǎn)換器不同。為升壓轉(zhuǎn)換器選擇合適的額定組件需要了解調(diào)節(jié)器峰值和平均電壓與電流，使用LTspice可確定它們的值。

 

作者簡(jiǎn)介

 

Rani Feldman于2017年加入ADI公司，擔(dān)任高級(jí)現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師。之前，Rani曾在凌力爾特公司工作三年。Rani擁有以色列阿夫卡學(xué)院電子工程學(xué)士學(xué)位和以色列霍隆理工學(xué)院工商管理碩士學(xué)位。聯(lián)系方式：rani.feldman@analog.com。

 

 

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