【導(dǎo)讀】請注意由于與繼電器控制并聯(lián)的機械開關(guān)而產(chǎn)生的瞬態(tài)電壓。當(dāng)驅(qū)動感性負(fù)載時,不要將機械開關(guān)與MOSFET并聯(lián)。當(dāng)繼電器關(guān)閉時,由于繼電器的啟動時間短,產(chǎn)生了高的瞬態(tài)電壓(dv/dt),這通常是由于產(chǎn)生了大量的dv/dt而累積起來的。
潛在問題:
當(dāng)MOSFET處于關(guān)閉狀態(tài)時,開關(guān)的開啟會導(dǎo)致MOSFET的破壞:由于機械開關(guān)的短暫時間,高的dvdt會激活在MOSFET中包含的寄生晶體管。浪涌的能量將集中在這種寄生晶體管上;這可以破壞寄生雙極晶體管,并破壞MOSFET本身。MOSFET在漏極源和源極之間的絕對短路損壞。
Note:由于繼電器的振動,MOSFET也可以在開關(guān)關(guān)閉時被破壞。
預(yù)防措施:
1.使用一個雙極晶體管,用一個穩(wěn)壓二極管保護來限制振蕩電壓,其值低于VCEmax。39vzener電壓是接受拋負(fù)載的推薦值。
2.使用一個zener保護二極管,其電壓低于MOSFET的第二次擊穿電壓(第二個擊穿電壓可以低到50%的VDSmax)選擇MOSFET(第二次擊穿電壓為39V)。