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能源電力

GP2AP012A00F:夏普開發(fā)出集成有可檢測0.1lx低照度的照度傳感器

夏普將上市集成了照度傳感器的新款近接傳感器“GP2AP012A00F”。主要特點是可檢測0.1lx的低照度，外形尺寸僅為4.4mm×2.6mm×1.0mm。該公司此前產(chǎn)品可檢測的照度為3lx，外形尺寸為5.6mm×2.1mm×1.2mm。

2009-12-25

夏普集成低照度照度傳感器

電磁兼容實驗室需要的儀器

產(chǎn)品必須符合EMC("電磁兼容)要求，歐洲規(guī)定：銷售違反電磁兼容法令(89/336/EEC)的產(chǎn)品將面臨高額罰款，因此，商家越來越重視產(chǎn)品的電磁兼容性問題，為了降低成本，要根據(jù)公司需求和規(guī)模的不同，組建一個EMC實驗室，本文介紹建設(shè)公司內(nèi)部EMC測試設(shè)備的優(yōu)點、缺點和方法。

2009-12-25

電磁兼容測試儀器 EMC

Si85xx：Silicon Labs推出下一代交流電流傳感器系列

高性能模擬與混合信號IC領(lǐng)導廠商Silicon Laboratories今日推出下一代交流電流傳感器系列，可取代傳統(tǒng)的電流變壓器。

2009-12-24

Si85xx Silicon 交流電流傳感器變壓器

傳感器儀表元器件發(fā)展分析

傳感器和儀表元器件是儀器儀表與自動化系統(tǒng)最基礎(chǔ)元器件之一。傳感器和儀表元器件具有服務面廣、品種繁多、需求量大等特點，其技術(shù)水平和產(chǎn)品質(zhì)量的提高，將為我國制造業(yè)信息化奠定基礎(chǔ)。

2009-12-24

傳感器儀表元器件 MEMS

2009年歲末電子產(chǎn)業(yè)數(shù)據(jù)回顧與2010年展望

2008年下半年，國際金融風暴席卷全球，以出口為主導的中國大陸電子信息產(chǎn)業(yè)直接受到?jīng)_擊，產(chǎn)品進出口受阻，導致產(chǎn)品產(chǎn)量不斷下降，到今年元月份下降到谷底。由于中國政府及時實行積極的財政政策，調(diào)整產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，努力擴大內(nèi)需，電子信息產(chǎn)業(yè)從2月份開始逐漸回升。雖然在個別月份有所波動，但回升趨勢...

2009-12-24

電子產(chǎn)業(yè) 數(shù)據(jù) 回顧展望

IR11672A：IR為節(jié)能AC-DC電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計智能型整流器

國際整流器公司 (簡稱IR) 推出IR11672A SmartRectifier IC。新器件為節(jié)能AC-DC電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計，擁有先進的最小導通時間 (MOT)保護電路，適用于筆記本型電腦、LCD和PDP電視、游戲機，以及服務器和通信開關(guān)電源 (SMPS) 。

2009-12-24

IR IR11672A AC-DC 電源轉(zhuǎn)換器整流器

Toshiba-components推出低導通電阻快速轉(zhuǎn)換的30V MOSFET

新產(chǎn)品包括5個N溝道MOSFET和1個MOSBD，MOSBD的單芯片組合了MOSFET和肖特基阻擋二極管，提供了低電感結(jié)構(gòu)，因此提高了能源效率。該產(chǎn)品提供了一系列的特性，使設(shè)計人員能夠滿足不同的系統(tǒng)要求。額定電流范圍為13A~26A，RDS(ON) (典型值)為4.3~12.2毫歐(mΩ)，輸入電容從999~2200微微法（pF）（典型值...

2009-12-24

東芝低導通電阻快速轉(zhuǎn)換 MOSFET

Gartner：全球半導體設(shè)備將增長45%

據(jù)國外媒體報道，Gartner研究副總Dean Freeman指出，晶圓代工支出與少數(shù)內(nèi)存廠商的選擇性支出，帶動了2009下半年半導體設(shè)備市場的增長，2010年的增長主要將由上半年技術(shù)升級的帶動，2010年第3季單季增長率在產(chǎn)能增加前將微幅下滑，整體資本設(shè)備產(chǎn)業(yè)預期自2010年底起將一路大幅增長至2011年。

2009-12-24

Gartner 全球半導體增長

美國科學家研發(fā)出一種新型光纖傳感器

美國科學家研發(fā)出一種可以在極端條件下使用的新型光學壓力傳感器。這種光纖傳感器不但可以測量高達1800萬帕(2620磅/平方英寸)的壓力，將感測頭放進-196°C的液態(tài)氮中或者加熱到538°C，性能也不會有明顯改變

2009-12-24

美國科學家新型光纖傳感器

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