可控硅(SCR)國(guó)際通用名稱為Thyyistoy,中文簡(jiǎn)稱晶閘管。它能在高電壓、大電流條件下工作,具有 耐壓高、容量大、體積小等優(yōu)點(diǎn),它是大功率開關(guān)型半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用在電力、電子線路中。
可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽(yáng)極A、陰極K、控制極G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有第一陽(yáng)極A1(T1),第二陽(yáng)極A2(T2)、控制極G三個(gè)引出腳。
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晶閘管(thyristor)是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱,又可稱做可控硅整流器,以前被簡(jiǎn)稱為可控硅;1957年美國(guó)通用電器公司開發(fā)出世界上第一個(gè)晶閘管產(chǎn)品,并于1958年使其商業(yè)化;晶閘管是pnpn四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),它有三個(gè)極:陽(yáng)極,陰極和門極;晶閘管工作條件為:加正向電壓且門極有觸發(fā)電流。其派生器件有:快速晶閘管,雙向晶閘管,逆導(dǎo)晶閘管,光控晶閘管等。它是一種大功率開關(guān)型半導(dǎo)體器件,在電路中用文字符號(hào)為"v"、"vt"表示
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脈沖功率技術(shù)是一種能量密度"壓縮"技術(shù),它通過(guò)開關(guān)的瞬時(shí)導(dǎo)通把較長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)儲(chǔ)存的能量在很短的時(shí)間(μs或ns量級(jí))內(nèi)釋放出來(lái),形成幅度達(dá)數(shù)十kA甚至數(shù)百kA的強(qiáng)電流脈沖。詳細(xì)閱讀>>
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雙向可控硅是一種功率半導(dǎo)體器件,也稱雙向晶閘管,在單片機(jī)控制系統(tǒng)中,可作為功率驅(qū)動(dòng)器件,由于雙向可控硅沒(méi)有反向耐壓?jiǎn)栴},控制電路簡(jiǎn)單,因此特別適合做交流無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)使用。詳細(xì)閱讀>>
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晶閘管的過(guò)壓保護(hù)設(shè)備是基于一對(duì)雙極性晶體管,這一對(duì)雙極性晶體管是由四層不同摻雜的N,P極組成,如圖1所示。N型摻雜的N1,P型摻雜的P1,和N型摻雜的N2分別構(gòu)成NPN晶體管的發(fā)射極,基極和收集極,而P型摻雜的P2,N型摻雜的N2,和P型摻雜的P1分別構(gòu)成了PNP晶體管的發(fā)射極,基極,和收集極。詳細(xì)閱讀>>
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盡管功率場(chǎng)效應(yīng)VDMOS 和絕緣柵雙極型晶體管IGBT等電力半導(dǎo)體元器件層出不窮,且在電力電子技術(shù)領(lǐng)域占據(jù)重要位置,晶閘管(可控硅) 卻因耐高壓耐大電流沖擊的特性,仍有著穩(wěn)固的陣地,受到用戶的青睞。在擯棄電流采樣、放大和執(zhí)行等多個(gè)環(huán)節(jié)的情況下,將單結(jié)晶體管移相觸發(fā)器中的晶體管誤差放大器改為集成運(yùn)算放大器,就可實(shí)現(xiàn)晶閘管直流穩(wěn)壓器的過(guò)流及短路保護(hù),簡(jiǎn)化了電路結(jié)構(gòu)...詳細(xì)閱讀>>
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無(wú)功補(bǔ)償是電力系統(tǒng)運(yùn)行的基本要求。為了在電力系統(tǒng)運(yùn)行中進(jìn)行無(wú)功平衡,必須對(duì)各種電力負(fù)荷所需的無(wú)功功率進(jìn)行補(bǔ)償。無(wú)功補(bǔ)償?shù)姆椒ㄓ姓{(diào)相機(jī)補(bǔ)償和電容器組補(bǔ)償?shù)龋渲凶顬橛行Ш鸵子趯?shí)施的是在靠近負(fù)荷點(diǎn)的地方進(jìn)行就地?zé)o功補(bǔ)償。由于無(wú)功補(bǔ)償掛接在電網(wǎng)上主要是通過(guò)自動(dòng)投入和切除電力電容器來(lái)達(dá)到補(bǔ)償效果,因此,控制電容器投切的開關(guān)元件性能對(duì)整個(gè)裝置的質(zhì)量和穩(wěn)定性起著非常關(guān)鍵的作用。目前,國(guó)內(nèi)的無(wú)功補(bǔ)償產(chǎn)品...詳細(xì)閱讀>>
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本文將驅(qū)動(dòng)電路及SITH器件一起擴(kuò)展成實(shí)際的開關(guān)電源應(yīng)用電路,經(jīng)測(cè)試,得到了比較先進(jìn)的性能指標(biāo)。這樣,對(duì)SITH器件的應(yīng)用研究就更加全面,使得對(duì)它的推廣應(yīng)用打下扎實(shí)的基礎(chǔ)。詳細(xì)閱讀>>
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電氣化鐵路( 以下簡(jiǎn)稱電鐵)的諧波問(wèn)題是一個(gè)關(guān)系到公用電網(wǎng)電能質(zhì)量和電鐵順利建設(shè)的重大問(wèn)題, 我國(guó)從80 年代處就開始致力研究、解決這一問(wèn)題。串聯(lián)補(bǔ)償裝置可以在一定程度上解決這一問(wèn)題, 而且由于其技術(shù)難度低、投資小、易于實(shí)現(xiàn), 因而在單線電鐵的復(fù)線改造工程中顯示出了極大的優(yōu)越性。詳細(xì)閱讀>>
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隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,晶閘管軟起動(dòng)裝置應(yīng)運(yùn)而生。三相異步電動(dòng)機(jī)的起停技術(shù)發(fā)生了劃時(shí)代的變化。晶閘管軟起動(dòng)產(chǎn)品問(wèn)世不過(guò)30年左右的時(shí)間,而其主要性能卻大大優(yōu)于磁控軟起動(dòng)、液阻軟起動(dòng)等傳統(tǒng)軟起動(dòng)方式。它的體積小,結(jié)構(gòu)緊湊,幾乎免維護(hù),功能齊全,起動(dòng)重復(fù)性好,保護(hù)周全,目前已成為軟起動(dòng)領(lǐng)域中的佼佼者。詳細(xì)閱讀>>
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晶閘管自1957年問(wèn)世以來(lái),隨著半導(dǎo)體技術(shù)及其應(yīng)用技術(shù)的不斷發(fā)展,使其在電氣控制領(lǐng)域中發(fā)揮了很大的作用。但是,過(guò)去人們只能以分立器件的形式把晶閘管用在各種電氣控制裝置中,由分立器件組成的電路復(fù)雜、體積大,安裝調(diào)試麻煩,可靠性也較差。晶閘管智能模塊ITPM的出現(xiàn),從根本上解決了上述難題...詳細(xì)閱讀>>
晶閘管具有硅整流器件的特性,能在高電壓、大電流條件下工作,且其工作過(guò)程可以控制、被廣泛應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)電子開關(guān)、逆變及變頻等電子電路中。
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